과제 상세정보
목록0V bias에서 동작하는 150~240 나노미터 파장 감지 극자외선 전용 센서 개발
작성자
관리자
조회수
186
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 2019년도 중소기업 기술혁신개발사업(소재·부품·장비분야 추경사업) |
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과제 기본정보
| 과제명 | 0V bias에서 동작하는 150~240 나노미터 파장 감지 극자외선 전용 센서 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1425141014 | ||||
| 부처명 | 중소벤처기업부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 계속과제 | 이전연도 과제번호 | 1425135198 | ||
| 과제수행연도 | 2020 | 총연구기간 | 2019-11-06 ~ 2021-11-05 | 당해연도 연구기간 | 2020-01-01 ~ 2020-11-05 |
요약 정보
| 연구목표 | 150~240nm 극자외선 파장대역만을 감지하는 240nm cut-off를 가지는 2mm *2mm 광소자의 개발- 극자외선 감지를 목적으로 AlN/AlGaN 에피 성장 구조 및 성장 기술을 확보.- 에피 및 Chip 공정의 최적화를 통해 0V 동작 극자외선 측정에 부합되는 공정 개발I. 세부 개발 목표①에피 공정 기술 개발 - AlN DC-XRD 반치폭 -... | ||
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| 연구내용 | I. AlGaN template on AlN 에피성장 기술 개발- 240nm 이하 파장대역을 감지하는 센서를 제작하기 위해서는 높은 Al조성의 AlGaN 활성층 성장이 필요 하며 격자상수 차이에 의하여 AlN buffer층이 필수이며 기본적으로 lattice mismatch에 의한 다량의 dislocation이 발생함. 따라서 고품질 AlN / AlGaN... | ||
| 기대효과 | I. 기술적 기대효과- 에피 공정 최적화를 통한 240nm 이하의 자외선 감지 기술 확보- 고품질의 AlN 성장 기술 및 고농도의 AlGaN 성장 기술을 통한 확장성이 높은 기술 확보II. 경제적 기대효과- 극자외선 감지 센서의 경우 전량 수입에 의존하고 있으나, 본 개발을 통한 국산화 대체- 전면 입사형의 VUV sensor를 이용한 기존 자외선 센서 응... | ||
| 키워드 | 자외선 센서,화합물 반도체,알루미늄 나이트라이드,광학센서,극자외선 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 광응용기기 > 광소자 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(의료,정밀,광학기기및시계) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | (주)제니컴 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | (주)제니컴 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 297,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||