| 연구목표 |
- 결함밀도 1x109cm-3 이하를 갖는 고퓸위 GaN 에피 성장기술 개발로서, APD 동작 가능한 에피웨이퍼 개발 - 고감도 APD 센서 제작 공정 및 센서 기술 확보- TO-5 허메틱 실링 센서패키징 기술개발- 칭 및 리셋 검출회로 개발 |
| 연구내용 |
- PSS (Patterned sapphire substrate)기판위의 저 결함 에피 성장기술 개발- 표면 특성 향상 플라즈마 처리 공정기술 개발 - PIN 구조 광센서 소자 제작 및 특성 분석- Fused silica 윈도우가 적용된 TO 패키징을 통해, 신뢰성 있는 허메틱실링 패키징 수행- 가이거 모드 동작이 가능한 칭회로 개발 |
| 기대효과 |
- 결함밀도 감소 에피 성장기술 및 에칭된 표면 개선 기술이 확보되며, 이를 통해 가이거 모드 동작이 가능한 에피웨이퍼를 통한 APD 소자 제작이 가능해 진다.- 항상 대기중 상태로 광 입사시 바로 칭 및 리셋이 가능한 칭 회로 개발기술 확보가 가능하다. - 온도변화에 따라 센서 자체의 항복전압 특성이 바뀌며, 이를 보정할수 있는 온도 보상회로 적용으로... |
| 키워드 |
자외선,와이드밴드갭,아발란체 포토다이오드,갈륨 나이트라이드,양자효율 |