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대면적 EUV 펠리클 박막 공정 플랫폼 개발

작성자

관리자

조회수

185

등록일

2024-05-21

사업 정보
내역사업 기존과제(선행공정·플랫폼기술연구개발사업)
과제 기본정보
과제명 대면적 EUV 펠리클 박막 공정 플랫폼 개발
과제고유번호 1711104309
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 계속과제 이전연도 과제번호 1711096730
과제수행연도 2020 총연구기간 2015-10-01 ~ 2020-08-31 당해연도 연구기간 2020-01-01 ~ 2020-08-31
요약 정보
연구목표 본 과제의 연구목표는 대면적 EUV 펠리클 박막 증착 공정 개발을 통하여 추후 개발 될 8인치 웨이퍼 기판에 균일하게 박막을 증착하는 조건의 확보임. 연구되는 주요 물질은 실리콘 질화막과 다결정 실리콘막, 그리고 열 방출층으로 사용되는 물질인 MoSi2 박막 등이 될 것이며, 증착 면적은 8인치 웨이퍼 면적에 해당하는 면적 그리고 증착 두께는 13.5 nm...
연구내용 대면적 EUV 펠리클 제작 공정 기술 개발 연구는 해당 기술의 모체가 되는 박막 기술에 대한 연구로부터 시작되며, 이는 나노 단위의 극박막 구조를 안정적으로 대면적화 하려면 박막 두께의 불균일성을 조절하여 박막 파괴의 시발점으로 작용할 수 있는 요소들을 최소화하기 위함임. 대면적 실리콘 기반 극 박막의 기계적 특성 향상을 위하여 고 균일도, 고 투과도, 저...
기대효과 본 과제를 통해 확보되는 정교한 박막 증착 공정은 EUV 펠리클 제작 공정 개발의 기본이 되는 기술로 많은 기술 분야의 기반이 되는 원천 기술임. 박막 증착기술은 주로 표면처리 공정에 사용되어 모재의 부가적인 기능이나 성능을 향상시키기 위한 수단으로 사용되기에 극박막 구조체를 활용하는 배터리나 각종 센서 산업 분야의 발전을 가져올 것으로 기대됨. 해당 이유...
키워드 실리콘 질화막,열 방출층,막 응력,두께 균일도
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 개발연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) NT(나노기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 재료 > 열/표면처리 > 박막제조기술
주력산업분류 적용분야 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 나노종합기술원 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 나노종합기술원 사업자등록번호
최종학위 석사 최종학력전공 공학
사업비
국비 59,315,000 지방비(현금+현물) 0
비고