미래 소자구현을 위한 3세대 HBP-ALE(고비등점 원자층식각) 원천기술 및 표면반응 메커니즘 연구
과제 기본정보
| 과제명 |
미래 소자구현을 위한 3세대 HBP-ALE(고비등점 원자층식각) 원천기술 및 표면반응 메커니즘 연구 |
| 과제고유번호 |
1711110579 |
| 부처명 |
과학기술정보통신부 |
| 시행계획 내 사업명 |
|
| 시행계획 내 사업유형 |
|
예산출처지역 |
대전광역시 |
사업수행지역 |
대전광역시 |
| 계속/신규 과제구분 |
신규과제 |
| 과제수행연도 |
2020 |
총연구기간 |
2020-03-01 ~
2023-02-28
|
당해연도 연구기간 |
2020-03-01 ~
2021-02-28
|
요약 정보
| 연구목표 |
○ 미래 3차원 나노구조를 갖는 소자구현을 위한 무손상 초정밀 3 GEN. ALE공정 및 반응 메커니즘 연구를 통한 차세대 식각원천기술 확보- 3 GEN. ALE기술인 HBP-(High Boiling Point) ALE 식각 공정 기술 개발- 2 GEN. Cryo-ALE와 3 GEN. HBP-ALE 비교연구- HBP ALE의 표면 반응 메커니즘 연구- 3차... |
| 연구내용 |
○ 3 GEN. ALE기술인 HBP(High Boiling Point) ALE 식각공정기술개발- 다양한 종류의 HBP를 이용하여 기판으로의 선택적 흡착 및 원자층 식각 반응에 관한 기초 연구- 선택적 흡착에 따른 ALE 표면 반응 연구- 제어가 가능한 에너지를 갖는 이온 플럭스를 통한 HBP-ALE 식각 공정 기술 개발○ 2 GEN. Cryo-ALE와 3 ... |
| 기대효과 |
○ 기술적 측면 - nm급 이하의 미래 소자 제작에 있어서 식각 공정이 더욱 중요한 공정이 되고 있음. 원자층 식각 기술 및 장치 개발이 유력한 핵심기술이 될 것이며, 특히 무손상, 초미세 원자층 제어를 위해서는 3 GEN. HBP-ALE 기술이 핵심 원천 기술이 될 것으로 판단됨. - 3 GEN. HBP-ALE기술은 차세대 나노소자 구현 및 반도체 시... |
| 키워드 |
원자층식각,전구체,고비등점,흡착,탈착 |
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 |
기업 |
대학 |
국공립(연)/출연(연) |
외국연구기관 |
기타 |
|
|
|
|
|
|
기술 정보
| 연구개발단계 |
기초연구 |
산업기술분류 |
|
| 미래유망신기술(6T) |
NT(나노기술) |
기술수명주기 |
|
| 연구수행주체 |
학 |
과학기술표준분류 |
인공물 > 전기/전자 > 반도체장비 > 에칭장비 |
| 주력산업분류 |
|
적용분야 |
제조업(전기 및 기계장비) |
| 중점과학기술분류 |
|
과제유형 |
|
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 |
과제수행기관(업)명 |
대전대학교 |
사업자등록번호 |
|
| 연구책임자 |
소속기관명 |
대전대학교 |
사업자등록번호 |
|
| 최종학위 |
박사 |
최종학력전공 |
공학 |
사업비
| 국비 |
200,000,000
|
지방비(현금+현물) |
0
|
| 비고 |
|
과제 기본정보
| 과제명 |
미래 소자구현을 위한 3세대 HBP-ALE(고비등점 원자층식각) 원천기술 및 표면반응 메커니즘 연구 |
| 과제고유번호 |
1711110579 |
| 부처명 |
과학기술정보통신부 |
| 시행계획 내 사업명 |
|
| 시행계획 내 사업유형 |
|
| 예산출처지역 |
대전광역시 |
| 사업수행지역 |
대전광역시 |
| 계속/신규 과제구분 |
신규과제 |
| 과제수행연도 |
2020 |
| 총연구기간 |
2020-03-01 ~
2023-02-28
|
| 당해연도 연구기간 |
2020-03-01 ~
2021-02-28
|
요약 정보
| 연구목표 |
○ 미래 3차원 나노구조를 갖는 소자구현을 위한 무손상 초정밀 3 GEN. ALE공정 및 반응 메커니즘 연구를 통한 차세대 식각원천기술 확보- 3 GEN. ALE기술인 HBP-(High Boiling Point) ALE 식각 공정 기술 개발- 2 GEN. Cryo-ALE와 3 GEN. HBP-ALE 비교연구- HBP ALE의 표면 반응 메커니즘 연구- 3차... |
| 연구내용 |
○ 3 GEN. ALE기술인 HBP(High Boiling Point) ALE 식각공정기술개발- 다양한 종류의 HBP를 이용하여 기판으로의 선택적 흡착 및 원자층 식각 반응에 관한 기초 연구- 선택적 흡착에 따른 ALE 표면 반응 연구- 제어가 가능한 에너지를 갖는 이온 플럭스를 통한 HBP-ALE 식각 공정 기술 개발○ 2 GEN. Cryo-ALE와 3 ... |
| 기대효과 |
○ 기술적 측면 - nm급 이하의 미래 소자 제작에 있어서 식각 공정이 더욱 중요한 공정이 되고 있음. 원자층 식각 기술 및 장치 개발이 유력한 핵심기술이 될 것이며, 특히 무손상, 초미세 원자층 제어를 위해서는 3 GEN. HBP-ALE 기술이 핵심 원천 기술이 될 것으로 판단됨. - 3 GEN. HBP-ALE기술은 차세대 나노소자 구현 및 반도체 시... |
| 키워드 |
원자층식각,전구체,고비등점,흡착,탈착 |
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 |
기업 |
대학 |
국공립(연)/출연(연) |
외국연구기관 |
기타 |
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|
기술 정보
| 연구개발단계 |
기초연구 |
| 산업기술분류 |
|
| 미래유망신기술(6T) |
NT(나노기술) |
| 기술수명주기 |
|
| 연구수행주체 |
학 |
| 과학기술표준분류 |
인공물 > 전기/전자 > 반도체장비 > 에칭장비 |
| 주력산업분류 |
|
| 적용분야 |
제조업(전기 및 기계장비) |
| 중점과학기술분류 |
|
| 과제유형 |
|
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 |
| 과제수행기관(업)명 |
대전대학교 |
| 사업자등록번호 |
|
| 연구책임자 |
| 소속기관명 |
대전대학교 |
| 사업자등록번호 |
|
| 최종학위 |
박사 |
| 최종학력전공 |
공학 |
사업비
| 국비 |
200,000,000
|
| 지방비(현금+현물) |
0
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| 비고 |
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