| 연구목표 |
□ 저전력/고속 특성을 갖는 인조 반강자성 소재 기반 MRAM 원천기술 개발 ⇒ (고속 스위칭 MRAM) 기록에너지 50⇒ (고밀도 자구벽※2 MRAM) 기록에너지 50m/s (@10^11A/m^2), Delta > 50[※1 Delta (= 에너지장벽/상온 열에너지): 50 이상 ⇒ Retention 10년 이상][※2 자구벽 = magnetic do... |
| 연구내용 |
□ 인조 반강자성 소재에 기반하여 (i) SRAM향 고속 스위칭 MRAM, (ii) DRAM향 고밀도 자구벽 MRAM을 개발하기 위해 다음의 네 가지 구체적 세부연구를 진행하고자 함[1] 원자층간 반강자성 특성을 이용한 고속 구동- 스위칭 MRAM 소자의 고속 구동: 반강자성 소재의 고유주파수는 100 GHz 이상으로 강자성 소재에 비해 100배 이상 큼... |
| 기대효과 |
□ 학문적 파급효과○ 기존 “강자성 스핀트로닉스”의 한계를 극복하기 위해 최근 연구가 시작된 “반강자성 스핀트로닉스” 분야는 아직까지 반강자성 소재의 새로운 물리현상에 대한 연구에 집중하고 있으며, 실용화가 가능한 인조 반강자성 소재에서의 스핀정합 길이, 반강자성 마그논 전류의 생성 및 이를 응용소자에 적용하는 연구는 거의 전무한 상태임○ 현재 반강자성 소... |
| 키워드 |
자기 메모리,자구벽 메모리,인조 반강자성 소재,스핀전달토크,스핀정합 길이,마그논 스핀 전류 |