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2024-05-21
내역사업 | (유형2)중견연구 |
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과제명 | 인조 반강자성 소재 기반 차세대 MRAM 개발 | ||||
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과제고유번호 | 1711114503 | ||||
부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
시행계획 내 사업명 | |||||
시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
과제수행연도 | 2020 | 총연구기간 | 2020-03-01 ~ 2025-02-28 | 당해연도 연구기간 | 2020-03-01 ~ 2021-02-28 |
연구목표 | □ 저전력/고속 특성을 갖는 인조 반강자성 소재 기반 MRAM 원천기술 개발 ⇒ (고속 스위칭 MRAM) 기록에너지 50⇒ (고밀도 자구벽※2 MRAM) 기록에너지 50m/s (@10^11A/m^2), Delta > 50[※1 Delta (= 에너지장벽/상온 열에너지): 50 이상 ⇒ Retention 10년 이상][※2 자구벽 = magnetic do... | ||
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연구내용 | □ 인조 반강자성 소재에 기반하여 (i) SRAM향 고속 스위칭 MRAM, (ii) DRAM향 고밀도 자구벽 MRAM을 개발하기 위해 다음의 네 가지 구체적 세부연구를 진행하고자 함[1] 원자층간 반강자성 특성을 이용한 고속 구동- 스위칭 MRAM 소자의 고속 구동: 반강자성 소재의 고유주파수는 100 GHz 이상으로 강자성 소재에 비해 100배 이상 큼... | ||
기대효과 | □ 학문적 파급효과○ 기존 “강자성 스핀트로닉스”의 한계를 극복하기 위해 최근 연구가 시작된 “반강자성 스핀트로닉스” 분야는 아직까지 반강자성 소재의 새로운 물리현상에 대한 연구에 집중하고 있으며, 실용화가 가능한 인조 반강자성 소재에서의 스핀정합 길이, 반강자성 마그논 전류의 생성 및 이를 응용소자에 적용하는 연구는 거의 전무한 상태임○ 현재 반강자성 소... | ||
키워드 | 자기 메모리,자구벽 메모리,인조 반강자성 소재,스핀전달토크,스핀정합 길이,마그논 스핀 전류 |
단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
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미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 재료 > 금속재료 > 기능재료 |
주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국과학기술원 | 사업자등록번호 | |
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연구책임자 | 소속기관명 | 한국과학기술원 | 사업자등록번호 | |
최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 이학 |
국비 | 210,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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비고 |