연구목표 |
본 연구의 최종 목표는 III-V족 화합물 반도체 기반 나노구조에서 관찰된 비등방적 승화 현상을 원자 수준 시뮬레이션을 통해 이론적으로 규명하는 것이다. 현대 사회에 필수불가결한 반도체는 주로 결정성장(epitaxial growth) 공정을 통해 제작된다. 한편 반도체 물질의 승화 현상(sublimation)은 결정성장의 역반응에 해당하는 반응으로서, 실제... |
연구내용 |
최근에 실시간 (in-situ) 투과전자현미경(transmission electron microscopy; TEM)을 통해 III-V족 화합물반도체 기반 저차원 나노물질에서의 승화 현상이 원자 수준으로 관측되었다. 이 연구에 따르면, 인듐비소 나노선(InAs nanowire)을 가열하면 특정한 결정면을 형성하며 승화하는 것이 관찰되었다. 현재까지 인듐비소 ... |
기대효과 |
본 연구 결과를 통해 승화 현상에 대한 근본적 원인을 탐색함으로써 그 역반응인 결정성장에 대한 이해를 높이고, 이를 바탕으로 반도체 물질이 특정한 나노구조를 형성하도록 제어하는 등 전자/광전자 나노소자의 나노구조를 쉽게 제어할 수 있는 기초 기술을 확보하고 효율적인 결정성장 공정을 설계하는 데 기여할 것으로 예상된다. |
키워드 |
화합물 반도체,비등방적 승화,나노구조,결정성장 |