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초저전력 steep-slope Γ (Gamma)-FET 개발

작성자

관리자

조회수

63

등록일

2024-05-21

사업 정보
내역사업 자유공모형기술
과제 기본정보
과제명 초저전력 steep-slope Γ (Gamma)-FET 개발
과제고유번호 1711116502
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 계속과제 이전연도 과제번호 1711097321
과제수행연도 2020 총연구기간 2019-06-28 ~ 2021-12-31 당해연도 연구기간 2020-03-01 ~ 2020-12-31
요약 정보
연구목표 -초저전력 신개념 steep-slope 소자 Γ (Gamma)-FET 개발-기존 steep-slope 기술 대비 우수한 문턱 전압 이하 기울기 (SS), 큰 온-전류 (ION), 작은 오프-전류 (IOFF), 큰 온-오프 전류비 (ION/IOFF) 성능을 지닌 '단일' steep-slope 소자 개발.-100% CMOS 표준 공정과 소재를 이용해 평면형...
연구내용 -본 연구는 신개념 소자인 Γ-FET을 제안하여 기존 steep-slope 소자기술들의 한계였던 작은 ION, 그리고 소형화의 어려움을 해결하는 신개념 steep-slope 소자기술 개발을 목표로 한다. 기존 steep-slope 소자들이 기술적인 한계에 부딪힌 이유는 MOSFET 소자 구조와 동작 원리를 변경하였기 때문이다. 따라서 본 연구에서는...
기대효과 -기존 초저전력 소자기술 대비 차별화된 Γ-FET 개발을 통해 연구계에 새로운 기술적 패러다임을 제시할 수 있을 것으로 예상됨.-원천 특허 선점을 통해 초저전력 반도체 산업에서 초격차의 선도자적 지위를 구축할 수 있을 것으로 기대됨.-미국 및 스위스 등 초저전력 소자기술 개발에서 우위를 점하고 있는 주요 선진국 을 추월하여 first mover로서...
키워드 초저전력,감마펫,스팁-슬롭,온-전류,소형화 가능성
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 기초연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) NT(나노기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > Si 소자
주력산업분류 적용분야 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 한국과학기술원 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 한국과학기술원 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 200,000,000 지방비(현금+현물) 0
비고