| 연구목표 |
산화갈륨 에피층과 채널 도핑층의 구조분석 및 이동도 향상을 위한 원자단위 구조분석 기술 개발을 수행하여 다음의 목표를 달성○ 산화갈륨 기판 및 에피층의 구조 결함 양상 파악 및 해석 ○ 산화갈륨 에피소재 에피층의 원자단위 구조분석기술 개발 적용○ 이동도 향상을 위한 다층채널층 계면 및 결함의 원자단위 분석기술개발 적용○ 산화갈륨 에피 채널층 캐리어 분포의... |
| 연구내용 |
○ 상용 산화갈륨 기판의 결정면에 따른 구조결함 양상 파악 ○ 상용 산화갈륨 기판의 에치핏 형성을 이용한 표준화된 전위밀도 평가 방법 개발 ○ 산화갈륨 에피층의 구조 결함 양상 파악 및 해석○ 산화갈륨 에피층의 1차원 전위결함 및 2차원 면결함의 원자단위 구조 결함 분석 및 해석○ 산화갈륨 채널층의 원자단위 결함 분석 ○ 다층 채널층간 계면 원자단위 분석 ... |
| 기대효과 |
○ 소재 및 소자 기술개발시 구조 분석이 요구되는 반도체 소재/소자 전반에 활용 ○ 산화갈륨 기반의 전력반도체 소재/소자는 물론 타 에피소재 개발/ 분석에 활용○ 전자 소재 및 소자, 광 소재 및 소자 등 단결정 기반 반도체 소재 및 소자개발 및 국내 기술 수준 향상에 기여 할 수 있도록 활용 ○ 전력반도체 에피소재에 존재하는 다양한 구조결함에 대한 체계적... |
| 키워드 |
산화갈륨, 구조결함, 투과전자현미경, 에피층, 도핑층, 원자레벨, 채널층, 캐리어분포 |