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차세대 CPI 및 반도체 배선을 위한 소재 및 공정 개발

작성자

관리자

조회수

66

등록일

2024-05-21

사업 정보
내역사업 신소자원천기술개발
과제 기본정보
과제명 차세대 CPI 및 반도체 배선을 위한 소재 및 공정 개발
과제고유번호 1711121334
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2020 총연구기간 2020-07-01 ~ 2023-02-28 당해연도 연구기간 2020-07-01 ~ 2020-12-31
요약 정보
연구목표 고신뢰성 2.5D/3D CPI를 위한 접합 소재 및 접합 기술 개발 - 본 연구에서는 40㎛ 이하의 범프 피치를 갖는 chip-to-chip 접합, chip-to-Si interposer 접합, 및 Interposer-to-PCB 접합을 위한 소재 및 공정 기술을 개발함. - 최종적으로 다층 HBM 모듈, Si interposer, PCB 기판이 동시...
연구내용 HBM의 3D TSV 패키징을 위한 Cu-pillar/SnAg micro bump와 NCF 재료를 사용한 Thermo-compresssion(TC) 플립칩 본딩 기술 개발 - 접합 테스트를 위한 Cu pillar/Sn-Ag bump 구조 40μm Micro-bump test vehicle 제작 - 2중 코팅 기법 등을 통한 TC 플립칩 본딩 기술 최적...
기대효과 활용계획 - 2.5/3D CPI 재료 및 공정 기술은 20㎛ 범프 피치를 갖는 차세대 HBM 모듈의 접합, 모바일 기기의 AP프로세서와 HDM 모듈 간의 3D 적층 접합 등에 활용될 수 있음. - 미세화 과정에서 Cu 배선을 효과적으로 대체해 배선의 미세화와 R/C delay 문제를 동시에 해결하여, 향후 4차 산업혁명과 초연결 사회에서 요구되는 초저...
키워드 전자 패키징,실리콘 관통전극,고대역폭 메모리,비전도 접속 필름,저전력 반도체,원자층증착법,루테늄,몰리브덴
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 개발연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) NT(나노기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 재료 > 금속재료 > 금속재료공정기술
주력산업분류 적용분야 기타 공공목적
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 한국과학기술원 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 한국과학기술원 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 이학
사업비
국비 252,000,000 지방비(현금+현물) 0
비고