과제 상세정보
목록고전압 전력소자용 4인치 GaN on GaN 에피웨이퍼 개발
작성자
관리자
조회수
89
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 특구 연구성과사업화 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 고전압 전력소자용 4인치 GaN on GaN 에피웨이퍼 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711123841 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2020 | 총연구기간 | 2020-06-01 ~ 2021-05-31 | 당해연도 연구기간 | 2020-06-01 ~ 2021-05-31 |
요약 정보
| 연구목표 | ◦ kV이상급 고전압 전력소자용 4인치 GaN on GaN 에피웨이퍼 시제품 개발- 4인치 GaN 웨이퍼 위에 전력소자용 GaN 에피구조 성장- 수평구조소자 및 수직구조소자용 에피구조 성장 | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | 1kV 이상급 고전압 전력소자용 4인치 GaN on GaN 에피웨이퍼 개발◦ 4인치 GaN 웨이퍼 위에 전력소자용 GaN 에피구조 성장- 기확보된 Si 및 SiC 기판을 이용한 GaN 에피 성장기술을 GaN 기판에 적용◦ 수평구조소자 및 수직구조소자용 에피구조 성장- 수요처의 요청 구조에 맞춰 GaN 에피웨이퍼 구조 개발 | ||
| 기대효과 | - 차세대 반도체 산업을 위한 핵심 소재기술의 국산화- 국산화 기술을 통한 수입대체 효과- 메모리에 치우친 국내 반도체 산업 불균형 해소- 소재,부품의 국가 기술력 확보 및 무역수지 개선- 관련 고급 기술인력 양성 기여 | ||
| 키워드 | 4인치 GaN on GaN,질화갈륨,갈륨 나이트라이드,GaN 기판,웨이퍼,전력소자,에피택셜,고전압 GaN | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 반도체 재료 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | (주)아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | (주)아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 이학 |
사업비
| 국비 | 170,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||