| 연구목표 |
① 1200V/10A급 Trench형 SiC SBD 소자기술 개발- 기개발된 1200V/10A급의 SiC SBD 소자에 Trench 구조를 적용한 Trench SBD 소자기술을 적용함으로 소자의 성능향상 및 새로운 기술확보와 신제품 개발을 통한 프리미엄 제품라인업을 구축하고 시장에 진입함.② 6인치 SiC기반 SiC SBD 양산기술 최적화 및 고도화- 부산... |
| 연구내용 |
① 1200V/10A급 Trench형 SiC SBD 소자기술 개발◦ 6인치 SiC 웨이퍼 기반 Trench 공정 기술개발- SiC웨이퍼 기반 Trench Profile 제어기술 (Depth: 0.5~1.0um)- Trench Bottom Notch-Free 기술◦ Trench SiC SBD 소자설계, 제작 및 특성평가- Trench 기술 적용 SiC SBD... |
| 기대효과 |
◦ 매출증대 및 비용 절감 효과- 6인치 웨이퍼를 이용하여 생산성을 높이고, 양산공정 최적화로 생산효율을 극대화 시키고, 수율 개선 및 품질 안정화를 통해 비용이 절감하여 그로 인해 매출증대 효과가 있음.- Trench 공정기술 개발을 통해 제품의 고효율 성능확보로 인한 시장경쟁력으로 매출을 확대할 수 있으며, 소자 면적을 줄일 수 있어 원가절감으로 수익 ... |
| 키워드 |
탄화규소,트렌치 공정,고전압,쇼트키 다이오드,전력반도체,전기자동차 |