| 연구목표 |
Ka-Band 광대역 고효율 GaN 도허티 전력 증폭기를 개발한다. mmWave: 넓은 대역을 확보하기 위해 High-Frequency 활용. (ex: 28GHz, 39GHz) - 28 GHz, 39GHz 대역 전력 증폭기 개발광대역 : Multi-Gb/s급 data전송을 위하여, 1GHz 대역 이상의 넓은 대역폭을 활용 함. - 5 GHz 이상의 대역폭 ... |
| 연구내용 |
GaN HEMT 소자 기반 전력 증폭기 개발Wide bandgap 과 준수한 전자 이동 속도를 가짐.GaN HEMT 장점 : 높은 전력 밀도, 높은 효율, 우수한 열 방출 특성, 우수한 Noise 특성, GaN HEMT 연구방향 : Negative Bias, 높은 가격을 극복하기 위해 Si substrate기술, 시스템 디자인 접근.높은 전압 사용으로, 전... |
| 기대효과 |
현재 GaN 기술은 국방 분야에서의 필요성이 커서, 각 나라에서 기술의 유출을 막기 위한 노력을 하고 있는 중입니다. 이를 대비하기 위해서라도, 국내에서 GaN 기술에 대한 기반 연구(Foundry 및 회로 기술)가 수행되어야 합니다. 5G이상의 통신시스템에서는 초고속 통신을 위한 광대역 확보가 필요하며 이에 따라 mmWave대역을 활용 하게 됨. (202... |
| 키워드 |
갈륨 나이트라이드,전력 증폭기,집적회로,밀리미터파,도허티 구조 |