| 연구목표 |
본 연구는 최근 국내 디스플레이 산업의 세계 점유율 및 영향력 감소를 인지하고 이를 극복하고자 하며, 보다 높은 기술력 확보를 통해 시장 영향력을 강화하고자 함. 구체적인 목표는 크게 세 가지로 구성되어 있음.1) 공정온도 150℃ 이하, 전계 효과 이동도 100 cm2/Vs 이상 및 고신뢰성의 Low Temperature Poly Si (LTPS)급 산화... |
| 연구내용 |
1. 1차년도: 고성능의 질산화물 기반 p, n형 반도체 박막 및 소자 개발 고성능 ZnON, InON, CuON, SnON 등 질산화물 기반 트랜지스터 기술 개발 - Sputtering 및 co-sputtering 증착법에 의한 질산화물 반도체 성막 기술 개발 및 도핑 원소, 최종 질산화물 재료 선정 - XRD, Hall effect measurement... |
| 기대효과 |
초고이동도 금속 질산화물 박막 트랜지스터의 개발은 현재 국내외 디스플레이 업계의 최대 화두인 초대형, 초고해상도 디스플레이 실현을 빠르게 만족시킬 수 있는 대안으로 판단됨. 특히, 고가의 LTPS를 대체할 수 있는 저비용 양산형 금속 질산화물 트랜지스터 기술의 개발은 국내 업계의 시장 영향력 강화 뿐만 아니라, 차세대 디스플레이 분야에서 신규 시장의... |
| 키워드 |
박막 트랜지스터,고이동도,p형 산화물계 반도체,고신뢰성,질산화물 |