과제 상세정보
목록5nm 이하급 수직 트랜지스터 구조를 위한 저손상의 원자층 식각 공정 및 응용기술 개발
작성자
관리자
조회수
59
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 차세대반도체개발 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 5nm 이하급 수직 트랜지스터 구조를 위한 저손상의 원자층 식각 공정 및 응용기술 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1415173220 | ||||
| 부처명 | 산업통상자원부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2019-04-01 ~ 2021-12-31 | 당해연도 연구기간 | 2021-01-01 ~ 2021-12-31 |
요약 정보
| 연구목표 | 3차년도 개발 목표 : 원자층 식각 반응 메커니즘 분석- 인가주파수(Driving frequency) 및 기판 Bias Pulse 기술 적용 및 이방성 원자층 식각 공정 메커니즘 분석- 탈착 이온 에너지 특성에 따른 원자층 식각 공정 메커니즘 분석- 원자층 식각공정에 따른 표면 특성 평가 | ||
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| 연구내용 | ● Si에 대한 선택적 원자층 식각에 따른 표면 특성 및 평가 - Si 원자층 식각 공정에서의 식각 선택비 및 표면 화학적 변화 분석 ● 다양한 식각가스 변화에 따른 식각 Profile 및 표면 거칠기 평가 - 할로겐 가스를 이용하여 원자층 식각 공정을 진행하고, 공정 후 패턴 profile 평가 ● Driving frequency 변화에 따른 식각 특성 ... | ||
| 기대효과 | - 국내외 반도체 시장에서 기존 실리콘 반도체 재료의 한계를 극복할 수 있는 차세대 3D 실리콘 반도체 구조 변화의 필요성이 제기 됨에 따라 이에 필수적인 차세대 원자층 식각 기술 및 장치 개발에 대한 수요 역시 동반성장 할 것으로 예상됨.- 실리콘 반도체 재료 식각 장비의 분야는 현재 미국과 일본의 주요 기업이 주도하고 있으며, 새로운 원자층식각공정의 개... | ||
| 키워드 | 이온에너지,고주파,원자층 식각,라디칼 흡착,이방성 식각 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 응용연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체장비 > 에칭장비 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 대전대학 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 대전대학 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 100,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||