과제 상세정보
목록전구체 흡착 제어를 통한 원자단위 박막 조성 제어 기술
작성자
관리자
조회수
64
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 차세대시스템반도체설계소자공정기술개발 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 전구체 흡착 제어를 통한 원자단위 박막 조성 제어 기술 | ||||
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| 과제고유번호 | 1415173491 | ||||
| 부처명 | 산업통상자원부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2020-07-01 ~ 2022-12-31 | 당해연도 연구기간 | 2021-04-01 ~ 2021-12-31 |
요약 정보
| 연구목표 | o 물리적 박막 두께 : 5 nm, 단차피복성 : 93 % 이상o 등가산화막 두께 : 1.8 nm 이하, 누설 전류 : 7x10-3 A/cm2 이하, 계면결함밀도 : 7x1011/eV㎠ 이하o 유효 흡착율 : 50 %, 삼성분계 조성균일도: 90 % | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | o TEMAH 전구체의 Si표면 흡착 모델에 따른 이론적 모델 개선o reaction coordinates의 함수에 따른 에너지 및 전구체 흡착 방향에 따른 surface coverage정확도 개선o ALD pulse 및 초기 ALD 싸이클의 표면 흡착 반응 리간드 기 측정 매칭을 통한 HfO2의 안정한 배위수 및 계면 상태 도출 : 고유전절연막 내에서의... | ||
| 기대효과 | - 아마이드 소스중 하나인 TEMAH의 일반적인 제안 반응 모델을 이용한 전구체와 표면 반응 평가 측정을 통한 DFT 모델링 구축- contact FT-IR 등을 이용하여 표면 반응기를 통한 세부 및 전체 반응기구를 전산 모사 모델링과 ALD초기 성장 기구를 비교함으로 박막 공정 정확도 개선 | ||
| 키워드 | 원자층증착법,전구체 흡착,초기성장기구,밀도함수이론,고유전율 박막 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 응용연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 반도체 재료 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전기 및 기계장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 충남대학 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 충남대학 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 |
사업비
| 국비 | 100,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||