과제 상세정보
목록고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발
작성자
관리자
조회수
57
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 국제공동기술개발 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1415177638 | ||||
| 부처명 | 산업통상자원부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2020-12-01 ~ 2023-11-30 | 당해연도 연구기간 | 2021-12-01 ~ 2022-11-30 |
요약 정보
| 연구목표 | [최종목표: ft 250 GHz 이상 고주파 특성을 갖는 대구경 InAlN/GaN on Si 에피소재 및 통신소자 개발]● 6인치 InAlN/GaN on Si 에피웨이퍼 개발● 250 GHz 이상 고주파 특성확보를 위한 에피층 구조 최적화● 소스 드레인 Ohmic 특성개선을 위한 n+GaN regrowth 조건 개발● ft 250 GHz 이상 고주파 특성을... | ||
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| 연구내용 | ● IVWorks는 InAlN/GaN heterostructure의 개선된 생산을 달성하기 위해 자사의 독점적인 Hybrid-MBE 기술과 AI Epitaxy 기술을 6“ 고저항성(HR) Si 웨이퍼에 적용한다. TransEON은 InAlN/GaN 구조 위에 강화된 MOS gate stacks을 제조하기 위해 독점적인 atomic-layer 공정 기술을 적... | ||
| 기대효과 | 1. 신산업 분야의 핵심 소재 기술 - GaN은 높은 전력 밀도와 전자이동도, 높은 내열 특성과 고온 안정성, 높은 주파대역 등 우수한 물리적 특성을 가진 차세대 반도체 물질로써 5G 이동통신, 무선 전력 전송, 무선 충전, 위성송수신 모듈과 같은 통신소자에 활용된다.- 최근 5G 이동통신 시장 도입에 맞춰 GaN 트랜지스터의 소재인 GaN 에피웨이퍼에 대... | ||
| 키워드 | 질화갈륨,통신소자,에피웨이퍼,에피택셜,고주파 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 응용연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 반도체 재료 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 기타 산업 | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | (주)아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | (주)아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 이학 |
사업비
| 국비 | 209,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||