| 연구목표 |
GaN 전력소자의 고방열 Diamond 패키지 기술 개발 패키지용 고방열 Poly-Crystal Diamond (PCD) 기판개발 Bonding Pad Over Active (BPOA)구조 GaN 전력소자 개발 GaN-Diamond Flip-Chip 패키지 개발 |
| 연구내용 |
패키지용 고방열 PCD 기판 개발 - 웨이퍼 레벨 Poly-Crystal Diamond (PCD) 개발 - Flip-chip 패키지용 PCD 표면 Polishing 기술 - Poly-Crystal Diamond (PCD) 열전도 측정 기술 Bonding Pad Over Active (BPOA)구조 GaN 전력소자 개발 -... |
| 기대효과 |
기술적 파급효과o GaN 전력반도체 개발을 통하여 데이터센터, 레이더, 자동차등 산업 전반에 걸쳐 저전력 고효율 그린반도체 산업 주도로 데이터 센터 전력반도체 대체로 2015년 2조원(국내 3000억) 전력절감 및 280억불 전력반도체 시장 선점o GaN의 높은 성능에도 불구하고 200 oC 이상의 고온 가혹환경에서 동작은 소자의 성능 저하 뿐만 아니라, ... |
| 키워드 |
플립칩본딩,비피오에이,다이아몬드,전력반도체,질화갈륨 |