과제 상세정보
목록AlN기반 UVC LED Epi-wafer and HEMT Epi-wfer
작성자
관리자
조회수
57
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | (5월) 팁스(TIPS) 창업팀 지원계획 공고 |
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과제 기본정보
| 과제명 | AlN기반 UVC LED Epi-wafer and HEMT Epi-wfer | ||||
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| 과제고유번호 | 1425149231 | ||||
| 부처명 | 중소벤처기업부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2020-06-01 ~ 2022-05-31 | 당해연도 연구기간 | 2021-01-01 ~ 2021-05-31 |
요약 정보
| 연구목표 | 1 차년도 개발 목표 - 자체 고온용 MOCVD 장비 set up (2x6장 REactor and 4x8장 Reactor) - 2inch 와 4inch AlN on Sapphire 성장 - 2inch AlN on Sapphire Wafer Specification - XRD (002) 250 arcsec - XRD (102) 500... | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | 1 차년도 개발 목표 - 자체 고온용 MOCVD 장비 set up (2"x6장 REactor and 4"x8장 Reactor) - 2inch 와 4inch AlN on Sapphire 성장 - 2inch AlN on Sapphire Wafer Specification - XRD (002) < 250 arcsec - XRD (102) <... | ||
| 기대효과 | 1 차년도 개발 목표 - 자체 고온용 MOCVD 장비 set up (2"x6장 REactor and 4"x8장 Reactor) - 2inch 와 4inch AlN on Sapphire 성장 - 2inch AlN on Sapphire Wafer Specification - XRD (002) < 250 arcsec - XRD (102) <... | ||
| 키워드 | 알루미늄나이트라이드,심자외선 엘이디,고속전자소자,고온 유기금속증착,박막성장 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
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| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 화합물소자 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 엘앤디전자 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 엘앤디전자 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 208,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||