| 연구목표 |
25Gbps 광소자칩 DFB 칩 연구 시제품 개발 (ETRI 기술 기반) - 변조 속도: 25Gbps @btb, o-band, R.T. - 신호 소광비 : 5 dB - 광출력 세기 : 3 dBm - 동작온도 범위 : CT @ TOSA - 측모드 억압비 : 40 dB |
| 연구내용 |
기술이전 기술 공정 재현 및 파일롯 생산 기반 구축 - InAlGaAs 에피 공정 재현 (ETRI 기술 기반) - InAlGaAs DFB chip Fabrication 공정 (ETRI 기술 기반) 25Gbps DFB 에피, 소자 설계 및 기반기술 개발 - InAlGaAs 기반 단일모드/높은 출력 비대칭성 갖는 DFB 설계 기술 - ... |
| 기대효과 |
o 한국전자통신연구원의 앞선 기술을 이전받아 수요 제품의 설계 및 공정 기술을 확보하고, 양산성 및 가격경쟁력을 확보하여 향후 사업화시에 고객의 요구에 독자적으로 대응할 수 있는 설계, 제작 및 평가 기술을 확립함o 본 과제인 25Gbps 급 광부품의 경우 전량 일본 등 선진사로부터 수입에 의존하고 있는 바, 과제를 통해 기술 자립의 기반을 갖추고 국내는 ... |
| 키워드 |
레이저 다이오드,25기가,인듐갈륨알루미늄아세나이드,양자우물 ,결정성장 |