과제 상세정보
목록0V bias에서 동작하는 150~240 나노미터 파장 감지 극자외선 전용 센서 개발
작성자
관리자
조회수
99
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 2019년도 중소기업 기술혁신개발사업(소재·부품·장비분야 추경사업) |
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과제 기본정보
| 과제명 | 0V bias에서 동작하는 150~240 나노미터 파장 감지 극자외선 전용 센서 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1425153130 | ||||
| 부처명 | 중소벤처기업부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2019-11-06 ~ 2021-11-05 | 당해연도 연구기간 | 2021-01-01 ~ 2021-11-05 |
요약 정보
| 연구목표 | 150~220nm 극자외선 파장대역만을 감지하는 220nm cut-off를 가지는 1mm *1mm 광소자의 개발- 극자외선 감지를 목적으로 AlN 에피 성장 나노 구조 및 도핑 기술을 확보.- 에피 및 Chip 공정의 최적화를 통해 0V 동작 극자외선 측정에 부합되는 공정 개발- CSP형 소형 소자 제작 기술 개발 및 효율 향상을 위한 AR(Anti-Ref... | ||
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| 연구내용 | I. AlGaN template on AlN 에피성장 최적화 -후면입사형으로 200nm 이하의 cut-off를 가지는 소자 제작의 경우 후면입사에 따른 AlN기판에서의 흡수율 때문에 고품질의 얇은 AlN 성장이 필요하기 때문에 에피성장 개발이 필요.따라서 아래의 기술을 이용하여 고품질의 에피성장 기술을 최적화하고 Chip scale package 공정을 개... | ||
| 기대효과 | I. 기술적 기대효과- 에피 공정 최적화를 통한 150에서 220nm 파장만을 감지하는 자외선 감지 기술 확보- 신규 AlN 성장 기술 및 고품질 AlGaN 성장 기술을 확보- AlN 및 Al high composition AlGaN 0V 동작 Photovoltaic 모드 쇼트키 공정 기술 확보 - CSP 형태의 소형화 제조 기술 확보II. 경제적 기대효과... | ||
| 키워드 | 자외선 센서,화합물 반도체,알루미늄 나이트라이드,광학센서,극자외선 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 광응용기기 > 광소자 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(의료,정밀,광학기기및시계) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | (주)제니컴 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | (주)제니컴 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 150,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||