| 연구목표 |
○ 차세대 디스플레이용 비 IGZO계 산화물 반도체 박막의 고이동도 특성 및 양산성 확보를 위해 원자층 증착법 기반의 소재 합성 기술을 개발한다. 이를 위해 산화가 제어를 통한 반도성 소재용 유기금속 전구체 개발을 진행하고 원자층 증착 특성을 확보하며, 전산모사 결과와의 피드백을 통해 기존 IGZO 조성을 벗어난 고성능의 n형 및 p형 산화물 박막 기술을 ... |
| 연구내용 |
○ 고이동도 비IGZO계 n형 반도성 소재용 유기금속 전구체 소재 개발 - In, Ga, Sn, Zn 등 n형 산화물 반도체 물질용 전구체 개발 - 원자층 증착법에 적합한 전구체 특성 확보 : 증기압 ≥ 1 Torr @ 80 ℃, 전구체 순도 ≥ 99.9999% 전구체 안정성 ≥ 12 weeks @ RT - 저온 증착에... |
| 기대효과 |
○ 고 이동도를 가지는 비 IGZO계 산화물 반도체 소재를 개발함으로써 기존 소재를 통해 얻을 수 없었던 차세대 디스플레이용 고성능 소자를 구현.○ 일본이 독점하고 있는 IGZO계 지식재산권을 내재화해 국제 무역 마찰에 대응 |
| 키워드 |
산화물 반도체,비IGZO,전구체,원자층 증착법,화학소재,유기금속,고이동도,디스플레이 |