과제 상세정보
목록고성능 이중 파장 검출용 적층형 유기광다이오드 소재 및 소자 기술 개발
작성자
관리자
조회수
44
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | (유형1-2)중견연구 |
|---|
과제 기본정보
| 과제명 | 고성능 이중 파장 검출용 적층형 유기광다이오드 소재 및 소자 기술 개발 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 과제고유번호 | 1711127041 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2021-03-01 ~ 2026-02-28 | 당해연도 연구기간 | 2021-03-01 ~ 2022-02-28 |
요약 정보
| 연구목표 | ■ 연구 목표: 고성능 적층형 이중 파장 검출 유기광다이오드 소재 및 소자 기술 개발● 최종연구목표- 이중 파장 검출 유기광다이오드용 VIS, NIR 영역 유기 소재 개발 - VIS, NIR 이중 파장 감지 유기 광다이오드 개발 ◆ EQE@-1.0V > 60%@600nm (VIS), 30%@1050nm (NIR) ◆ Responsivity@-1.0... | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | ● 밴드갭 엔지니어링(bandgap-engineering)을 통한 VIS, NIR 영역 흡수 유기반도체 소재 개발● 전압으로 감응 파장 선택이 가능한 적층형 유기 광다이오드 소자 구조 개발● 유기광다이오드 소재를 적용한 VIS, NIR 감지용 이미지 센서 어레이 개발 | ||
| 기대효과 | ◯ 고성능 VIS, NIR 흡수 영역 유기 반도체 소재 개발을 통해 다양한 응용이 가능함● 기존 무기 이미지센서와는 차별화된 미래 기술- 기존 실리콘 기반 CMOS 이미지 센서는 가시광 영역에 한정되어 있으며, 고비용의 반도체 공정을 통해 생산해야 하는 문제점이 존재함 - 또한, 야간 보안 및 감시, 군사, 의료 등의 적외선 이미지센서를 구현하기 위해서는 ... | ||
| 키워드 | 유기 반도체 소재,가시광선,근적외선,유기 이미지 센서,광다이오드,적층형 소자,이중 파장 검출 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
|---|---|---|---|---|---|
|
기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 연 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 재료 > 고분자재료 > 전기/전자정보용 소재기술 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국화학연구원 | 사업자등록번호 | |
|---|---|---|---|---|
| 연구책임자 | 소속기관명 | 한국화학연구원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 이학 |
사업비
| 국비 | 213,517,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
|---|---|---|---|
| 비고 | |||