| 연구목표 |
5G sub6와 5G mm-wave 그리고 UWB까지 지원하게 되면서 필요한 송수신 모듈의 수는 크게 증가하게 되었고 이러한 추세는 앞으로 통신 서비스의 다양화에 따른 주파수 다변화로 인하여 계속 가속화될 것으로 예상된다. 이것은 갈수록 작고 가볍고 얇은 폼팩터를 요구받는 무선 핸드셋에 큰 부담을 가져오게 할 것이다. 본 연구는 향후 무선 핸드셋에 적용 가... |
| 연구내용 |
본 연구에서는 현재까지 고안된 회로 중 가장 우수한 광대역 특성을 가지는 분산증폭기를 기본으로 하여 광대역 트랜스미터를 구현해보고자 한다. CMOS 광대역 트랜시버 설계시 가장 성능을 내기 어려운 요소 회로는 전력증폭기이다. 실리콘 소자의 낮은 항복전압 특성으로 인해 충분한 고주파 전력을 만들어내지 못한다는 최대의 문제점을 안고 있다. CMOS 소자의 경우... |
| 기대효과 |
제안하는 본 연구가 앞서 소개된 설계 아이디어를 바탕으로 성공적으로 추진될 경우 앞으로의 IoT, 5G 이동통신 시장에 핵심 부품인 CMOS 고주파 전력증폭기 설계 관련 국가 경쟁력을 확보하게 되며 특히 국내 CMOS 반도체 공정을 이용하여 세계 최고 수준의 고주파 CMOS 전력 성능을 얻게 된다면 메모리에 편중된 국내 반도체 산업에도 새로운 활력을 불어넣... |
| 키워드 |
광대역,트랜스미터,시스템 온 칩,분산증폭기,지능형,전력재구성,무선 핸드셋,국내 CMOS 반도체 공정,전력결합 |