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차세대 CPI 및 반도체 배선 전기적 설계 및 평가 기술 개발

작성자

관리자

조회수

44

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 신소자원천기술개발
과제 기본정보
과제명 차세대 CPI 및 반도체 배선 전기적 설계 및 평가 기술 개발
과제고유번호 1711130131
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2021 총연구기간 2020-07-01 ~ 2023-02-28 당해연도 연구기간 2021-01-01 ~ 2021-12-31
요약 정보
연구목표 본 연구는 칩 내 배선과 패키지 기술에 대한 통합 연구 개발을 목표로 함차세대 고집적 Heterogeneous System에 적용 가능한 저전력, 고성능 CPI(Chip-Package Interface) 구조의 개발 -Heterogeneous System은 TSV(Through Silicon Via)와 interposer 기술을 활용해 이종 반도체 간...
연구내용 A. 3D 적층 구조를 위한 TSV의 전기적 해석 및 설계 기술 연구1) 3D 적층 구조를 위한 TSV의 전기적 모델링 방법 연구2) 저전력, 고대역폭 신호 전송을 위한 TSV 배치 구조 최적화 연구3) 최적화된 TSV 구조의 저전력/고대역폭 성능 검증을 위한 Test Vehicle 1의 전기적 설계 및 전기적 성능 평가 기술 개발B. 2.5D 패키지...
기대효과 I.활용계획 -Signal/Power (SI/PI) 및 Electromagnetic interference (EMI)를 고려한 저전력 CPI 및 반도체 배선 설계 기술에 활용II. 기대효과 -본 기술 개발을 통해 차세대 저전력/고성능/고신뢰성 CPI 기술과 반도체 배선 기술을 확보하면, 국내 기업인 삼성전자, SK 하이닉스 등과 함께 파운드리 시장을 ...
키워드 고성능,실리콘 관통 홀,저전력,신호 전력 무결점성,패키지,인터포저,배선물질,반도체 배선
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 개발연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) IT(정보기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 달리 분류되지 않는 반도체소자·회로
주력산업분류 적용분야 기타 공공목적
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 한국과학기술원 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 한국과학기술원 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 340,000,000 지방비(현금+현물) 0
비고