과제 상세정보
목록Universal memory 지향의 플래시메모리소자 기반 6T NVSRAM 개발 연구
작성자
관리자
조회수
52
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | (유형1-1)중견연구 |
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과제 기본정보
| 과제명 | Universal memory 지향의 플래시메모리소자 기반 6T NVSRAM 개발 연구 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711130305 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2019-09-01 ~ 2024-02-29 | 당해연도 연구기간 | 2021-03-01 ~ 2022-02-28 |
요약 정보
| 연구목표 | 본 연구 개발 과제의 최종 목표는 Flash memory 소자 기반의 새로운 6T NVSRAM를 구현함으로써 Universal memory를 지향하는 핵심 부품에 대한 원천 기술을 확보하는 것임. 고속, 고집적도, 비휘발성, 저전력 특성을 모두 갖춘 메모리 소자의 개발은 시스템의 성능을 급격히 높일 수 있기 때문에 기존의 전통적인 휘발성 메모리의 하나인 ... | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | 본 과제에서는 NVSRAM의 집적도 향상 방안으로 하나의 셀을 6개의 트랜지스터로 구성하는 새로운 셀 구조를 제안하고 추가적인 단위 셀 면적 감소를 위해 소자 구조 변경과 stacked structure를 도입하고자 함. 연차별 주요 연구 내용은 다음과 같음.-------------------------------------------------------... | ||
| 기대효과 | 메모리 소자는 현재 전자소자들의 핵심 부품으로 새로운 아이디어에 기반한 지속적인 성능 향상은 학문적인 측면은 물론 산업적, 경제적 측면에서도 매우 중요한 연구 과제임. 특히 메모리 시장은 애플리케이션에 따라 급속하게 증가하는 특징을 가지고 있는데 휘발성과 비휘발성 메모리의 핵심 특징 융합을 통해 기존 시장 및 새로운 시장을 창출 효과를 극대화할 수 있을 ... | ||
| 키워드 | 비휘발성 SRAM,플래시 메모리,범용메모리,적층구조,수직구조트랜지스터,다결정실리콘,전이금속산화물반도체 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 전기전자부품 > 기록매체 부품 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 충남대학 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 충남대학 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 100,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
|---|---|---|---|
| 비고 | |||