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저전력 및 초소형 실리콘 나노선 기반 난수발생기 개발

작성자

관리자

조회수

48

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 신소자원천기술개발
과제 기본정보
과제명 저전력 및 초소형 실리콘 나노선 기반 난수발생기 개발
과제고유번호 1711130654
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2021 총연구기간 2020-07-01 ~ 2023-02-28 당해연도 연구기간 2021-01-01 ~ 2021-12-31
요약 정보
연구목표 ○ 기존 CMOS 기반 난수발생기 대비 소모 전력 및 면적을 현저하게 감소시킬 수 있는 신소자 기반 난수발생기 개발○ 실리콘 나노선(Silicon Nanowire) 기반 저전력/저면적 및 초소형 단위소자 개발CMOS 공정 기술로 1 μm2 이하 면적 단위소자 제작50 nW 이하 전력, 소모 에너지 1.25 pJ/bit 이하, 처리량 40 kbps 이상의 성...
연구내용 ○ (소자 개발) 단위 공정, 실리콘 나노선 일괄공정 개발 및 소자 제작실리콘 나노선 소자 구조 설계 및 2-D TCAD 시뮬레이션레이아웃, 마스크 제작, 단위 공정 개발100% CMOS 공정으로 실리콘 나노선 기반 난수발생기 단위 소자 제작NIST SP 800-22 표준 평가환경 구축 및 단위소자 난수성 검증실리콘 나노선 출력신호 난수성의 물리적 근원 규...
기대효과 ○ 활용계획저전력/저면적 난수발생기 개발과 이를 적용한 보안 칩 설계를 통하여 IoT 기기 등의 저전력 환경에서 강력한 보안성 확보 및 제품 경쟁력 향상향상된 난수발생기를 이용한 AES 보안 칩 설계기술 확보와 응용연구 연계 기반 마련국내 보안 및 IoT 산업 분야에 필요한 보안 관련 신소자 및 회로 전문가 인력 확보○ 기대효과신소자 기반 난수발생기 개발과...
키워드 저전력,저면적,실리콘 나노선,난수 발생기,씨모스 공정,난수성,에너지 효율,바이리스터
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 기초연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) NT(나노기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > Si 소자
주력산업분류 적용분야 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 한국과학기술원 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 한국과학기술원 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 442,001,000 지방비(현금+현물) 0
비고