| 연구목표 | ○ 1.0 kV급 SBD/MOSFET 전력반도체 소자 및 핵심 단위공정 개발① 소구경 산화갈륨 소자용 유전체 핵심 단위공정 기술 개발◾ 미세패턴 식각 선폭 (LCD) ≤ 1.0 ㎛◾ 산화막 누설전류(Ileak.) ≤ 5 ㎂/cm2② 소구경 산화갈륨 소자용 저저항 핵심 단위공정 기술 개발◾ 고온열처리 금속패턴 선폭 변화 (ΔLCD) ≤ 4.0 ㎛◾ 오믹 접촉... | 
                            
                                | 연구내용 | ① 소구경 산화갈륨 소자용 핵심 단위공정 기술 개발◾ ICP RIE 기반 1.0 ㎛ 패턴 형성을 위한 산화갈륨 건식 식각 공정기술 개발◾ ALD 기반 5 ㎂/cm2 이하급 Al2O3 산화막 누설전류 저감 공정 기술 개발② 소구경 산화갈륨 소자용 저저항 핵심 단위공정 기술 개발◾ RTA 기반 ΔLCD ≤ 4.0 ㎛ 이하의 금속패턴 고온열처리 공정기술 개발◾ ... | 
                            
                                | 기대효과 | ○ 4차산업혁명 인프라, 전기/자율/수소자동차, 태양광/풍력/신재생에너지,국방/우주항공등 미래 고효율 초소형 전력변환모듈과 인버터/컨버터에 활용 예정- (기술적효과) 전력반도체 소자 및 전력변환모듈 국산화에 따른 선진기술 종속 탈피- (사회적효과) 에너지절감 미래사회를 위한 고효율 전력반도체 국산화 인프라 구축- (경제적효과)'27년 640억불 규모의 전력... | 
                            
                                | 키워드 | 산화갈륨,전력반도체,쇼트키다이오드,금속산화물전계효과트랜지스터,항복전압,온-저항,누설전류,표준소자 |