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원자층증착법 기반 초미세 산화물반도체 TFT 핵심소재 및 단위소자 공정 기술 개발

작성자

관리자

조회수

41

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 국가핵심소재연구단(플랫폼형)
과제 기본정보
과제명 원자층증착법 기반 초미세 산화물반도체 TFT 핵심소재 및 단위소자 공정 기술 개발
과제고유번호 1711131037
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2021 총연구기간 2020-05-15 ~ 2024-12-31 당해연도 연구기간 2021-01-15 ~ 2021-12-31
요약 정보
연구목표 비IGZO계 신규 산화물 반도체 소재의 원자층증착법 기반의 초미세 산화물반도체 TFT 핵심소재 및 단위소자 공정 기술 개발을 통하여 산화물 반도체의 대면적화 ALD소재/공정 최적화와 초단채널 수직형 TFT 소자 기술 최적화를 진행하여 초고해상도 디스플레이 백플레인 실증을 위한 소재/공정 기술을 개발함.
연구내용 1단계(2020-2022) 초고해상도/초유연 TFT 단위소자 구조/공정 개발 - 산화물 반도체 소재 평가를 위한 초고해상도 TFT 구조 및 공정 개발 - 신규 전구체/증착 기법을 적용한 원자층증착법(ALD) 기반의 비IGZO계 산화물 반도체 증착 공정 기술 및 고이동도 물성제어 기술 개발 - 비IGZO계 산화물 반도체 초고해상도 수직채널 TFT 단위소자 공...
기대효과 본 세부과제를 통해 검증되는 비IGZO계 신규 산화물 반도체 소재는 일본에 의해 특허가 점유되어 있는 IGZO계 소재의 대외의존성을 극복하고 초고해상도 및 신축성 디스플레이 백플레인의 핵심 소재로 활용될 것임비IGZO계 산화물 반도체 소재, 패터너블 투명 유연 기판 소재 및 관련 공정을 TFT 백플레인 일괄공정을 내재화함으로써 신뢰성을 확보함에 따라 소재 ...
키워드 산화물반도체,디스플레이,백플레인,초고해상도,비 IGZO계,원자층 증착,수직채널,초미세
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 응용연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) IT(정보기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 디스플레이 > 디스플레이 소재/부품
주력산업분류 적용분야 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 (주)엔씨디 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 (주)엔씨디 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 294,000,000 지방비(현금+현물) 0
비고