과제 상세정보
목록100℃에서 직접 성장된 그래핀을 이용한 n-type and p-type 그래핀 Thin Film Transistor (TFT) 개발
작성자
관리자
조회수
140
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | 중견후속연구(연평균연구비 2억원~4억원 이내) |
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과제 기본정보
| 과제명 | 100℃에서 직접 성장된 그래핀을 이용한 n-type and p-type 그래핀 Thin Film Transistor (TFT) 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711131400 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2021-03-01 ~ 2024-02-29 | 당해연도 연구기간 | 2021-03-01 ~ 2022-02-28 |
요약 정보
| 연구목표 | 본 연구에서는 미래 정보 전자소자 응용을 위한 고 품질 그래핀 반도체 제조 기술개발 및 투명하고 유연/연신한 신 개념의 in-situ 그래핀 반도체 성장 원천기술 개발을 목표로 한다. 1) 투명하고 유연한 그래핀 저온 공정 기반 고 품질 n-/p-type graphene TFT 소자개발2) Graphene-TFTs 를 이용한 Electronic-Skin ... | ||
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| 연구내용 | 1. Boron(B)-doped(p-type), Nitrogen(N)-doped (n-type) 그래핀 제조 공정 최적화 및 TFT 소자 개발1-1. 공정 조건에 따른 B-doped, N-doped 그래핀의 특성 평가B-doped, N-doped 그래핀 공정 최적화를 위한 도핑량 조절: B-doping, N-doping 의 메커니즘 규명▶ B2H6, 질소 ... | ||
| 기대효과 | ■ 기술적 파급효과 ▶ 전자소자 응용을 위한 그래핀 기반 반도체 제조기술의 핵심 원천 기술을 확보▶ E-skin 분야의 핵심 원천기술력 확보에 기여 및 해당분야의 시장창출 및 산업적으로 중요한 위치 차지 ■ 산업적 파급효과 ▶ E-skin 등 투명하고 유연/연신성 있는 전자소자 관련 산업을 선점▶ 신 개념 소재 산업에 대한 방안 마련 (본 연구 기술이 갖... | ||
| 키워드 | 무전사 단층 그래핀,저온 공정,대 면적 그래핀,P형반도체그래핀,N형반도체그래핀,피부 전자재료,유연성 트렌지스 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
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| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 재료 > 세라믹재료 > 광/전자세라믹스 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 전문, 과학 및 기술서비스업 | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 충남대학 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 충남대학 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 305,320,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||