| 연구목표 |
기존 SOI 기반 reconfigurable 트랜지스터의 확장성 제약을 극복하고 벌크 CMOS 회로에 단일집적(monolithic integration) 구현이 가능하도록 실리콘 기판 상에서 구현되는 reconfigurable FET 핵심기술 개발 및 이의 회로적 검증 |
| 연구내용 |
[1차년도] Local BOX1 상에 구현되는 Si/Ge-RFET2 핵심공정 개발 및 소자 설계 - Si/Ge (Si, SiGe, or Ge) 채널 특성 시뮬레이션을 통한 RFET 소자 설계 - 다중 극성 게이트 (MPG3) 구조에 따른 RFET 성능 변화 연구 - RFET 채널용 Si/Ge 에피 성장 기술 개발 및 결함 밀도 최소화 ... |
| 기대효과 |
공정기술이 물리적 한계 상황에 가까이 오면서 CMOS 기반의 논리연산 단위유닛과 정보처리 면적의 축소 및 전력효율 향상이 요구되고 있어, 본 소자 기술 개발을 통해 MOSFET의 개수를 줄여감으로써 이 같은 문제를 해결하는 기술적 솔루션의 하나로 활용함. 또한 실리콘 기판 상의 local BOX 위에 Si/Ge 에피 기술개발을 통해 Si/Ge 채널 CMOS... |
| 키워드 |
실리콘-게르마늄,재구성,벌크 시모스,전계효과트랜지스터 |