과제 상세정보
목록단층 2차원 물질 tunnel FET의 개발
작성자
관리자
조회수
44
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | 자유공모형기술 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 단층 2차원 물질 tunnel FET의 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711133012 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2019-06-28 ~ 2021-12-31 | 당해연도 연구기간 | 2021-01-01 ~ 2021-12-31 |
요약 정보
| 연구목표 | 상온에서 네 가지 조건, 1) 4-5 decade 전류영역에서 subthreshold swing (SS) 의 평균 (SSave_4-5dec) 10μA/μm, 3) 작동전압 VDD < 0.3 V, 4) n, p-type 동작을 한 트랜지스터 내에서 위의 세 조건을 만족하면서 전기적으로 제어 가능함을 동시에 만족하는 초저전력 초고성능 complementary... | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | ◇ 이전 TFET의 문제점 1: SS가 60 mV/dec 미만일 때 On 상태 전류 I60가 상용화된 CMOS 트랜지스터를 대체하기 위해 필요한 값의 범위보다 크게 작음☞ 문제점 극복 방안 1 : 두께에 따라 밴드갭이 변하는 2차원 물질의 독특한 물성을 이용하여 두 물질의 결합이 아닌, 단일 2차원 물질로 HJ-TFET를 제작하여 interface 문제가 ... | ||
| 기대효과 | 본 연구가 성공하면 CMOS를 대체할 수 있는 차세대 초저전력 (ultra-low power) Complementary TFET를 개발하게 되어, 국내·외 비메모리 반도체 시장을 주도하는 기술 개발에 토대를 마련하게 된다. 특히 대한민국 반도체 산업의 약점인 비메모리 반도체 분야의 미래를 선도할 핵심 기술을 제공하고, 산업 및 경제에 큰 파급력을 지닐 것으... | ||
| 키워드 | 저전력 트랜지스터,터널 트랜지스터,흑린,전이금속 디칼코게나이드,단일물질 이종접합,무어 법칙 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 자연 > 물리학 > 응집물질물리 > 반도체 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국과학기술원 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 한국과학기술원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 이학 |
사업비
| 국비 | 200,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||