과제 상세정보
목록SiC 반도체 중성자 도핑 기술 개발
작성자
관리자
조회수
40
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | 방사선융합기술개발(지정주제_대형) |
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과제 기본정보
| 과제명 | SiC 반도체 중성자 도핑 기술 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711133365 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 계속과제 | 이전연도 과제번호 | 1711104961 | ||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2018-05-15 ~ 2022-10-31 | 당해연도 연구기간 | 2021-01-01 ~ 2021-12-31 |
요약 정보
| 연구목표 | 반도체 산업의 기술확산을 위해 실리콘의 대구경화 및 차세대 반도체 소재 SiC의 활용 요구가 증가하고 있으나 실용화 및 제품 양산을 위한 산업적 난제에 봉착한 상태로, 이를 해결하고 동시에 반도체 및 첨단소재 시장에서 선제적 위치를 확보하고자, 연구로를 활용한 대용량 실리콘과 SiC 반도체의 중성자 도핑 방법론을 개발하고, SiC 반도체의 중성자 도핑 장치... | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | (SiC 반도체 중성자 균일 조사 기술개발) - 연구로를 이용한 SiC 단결정 잉곳의 중성자 핵반응 전산모사 및 중성자 도핑 장치설계 - SiC 반도체 중성자 핵반응 단면적 자료 확보 및 라이브러리 생산- 연구로 전노심 모델구축 및 조사공 중성자 특성 평가- SiC 반도체 중성자 도핑 전산모사 (중성자도핑 SiC 반도체 물성 평가 기술개발) - 중성자... | ||
| 기대효과 | (과학적) 연구로를 활용한 대구경 실리콘 단결정과 SiC 반도체의 중성자 도핑 기술개발을 통하여 방사선 연구기반을 반도체/전자/첨단소재 분야로 확대(경제적) 전력반도체 핵심기술인 양질의 중성자 도핑기술 확보로 포스트실리콘 반도체의 기술확산 시기를 가시화함과 동시에 국내외 관련 산업 시장을 선점(산업적) 방사선융합기술 이용한 신소재의 가치 창출을 통해 실리콘... | ||
| 키워드 | 중성자핵변환도핑,SiC 탄화규소,전력반도체,대용량 실리콘 단결정,중성자 조사결함,소재,중성자 조사,연구로 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | 기타 | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 연 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 원자력 > 방사선기술 > 중성자 응용 기술 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 전문, 과학 및 기술서비스업 | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | (재)한국원자력연구원 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | (재)한국원자력연구원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 430,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||