| 연구목표 |
Si CMOS (하부소자) 위에 300도 이하 공정온도에서 100 nm 수준의 channel 길이를 갖는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 소자를 단일 공정 방식으로 3차원으로 구현하여 대기 소비전력이 감소된 단일 3차원 (monolithic 3D, M3D) 차세대 지능형 시스템 반도체 구성을 제안함. 1세부에서는 상온 진공 증착 기반으로 200 nm 이하 수... |
| 연구내용 |
초미세 채널 및 초저전력 n형 산화물 반도체 박막트랜지스터 구현신공법 Photolithography를 적용한 채널 길이 0.2 um 이하 구현전계 이동도 > 50 cm2/Vs, On/Off Ratio > 109 Off 전류 10-18 A/um 이하 구현저온 High K dielectric을 적용하여 S.S 100 mV/dec 이하 구현저온 Low K 층간... |
| 기대효과 |
신호 증폭 회로 등이 내장된 지능형 시스템 반도체 위에 저온 공정 특성과 극소 누설 전류 특성을 갖는 산화물 반도체를 M3D 방식으로 집적함으로써 새로운 아키텍쳐 개발 가능. p형 산화물 반도체의 경우 아직 n형 산화물 반도체 대비 산화물 반도체의 일반적인 특성을 갖는 소재가 부재하여 이에 부합하는 새로운 소자를 발굴할 경우 소재 원천 기술 확보가 기대됨.... |
| 키워드 |
산화물 반도체,박막 트랜 지스터,누설전류,상보형 반도체 소자,단일3차원 집적,소자 모델링,집적,로직 회로 |