과제 상세정보
목록Chalcogenide 소재 기반의 초저전압 Threshold switching 소자용 ALD 공정 개발
작성자
관리자
조회수
58
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | 신소자원천기술개발 |
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과제 기본정보
| 과제명 | Chalcogenide 소재 기반의 초저전압 Threshold switching 소자용 ALD 공정 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711133755 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2020-07-01 ~ 2023-02-28 | 당해연도 연구기간 | 2021-01-01 ~ 2021-12-31 |
요약 정보
| 연구목표 | ○ Hyper-FET 적용을 위한 Chalcogenide 소재 기반 원자층 증착법 (ALD) 공정 개발-2성분계 및 3성분계의 Chalcogenide 소재 기반 ALD 공정 개발-Chalcogenide 소재를 사용한 단위 OTS 소자의 특성 평가Modified precursor를 사용한 ALD 공정 평가 | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | ○ 1차년도 : 저전력 급속전이 로직 소자를 위한 chalcogenide 기반 소재 탐색 및 ALD 공정 개발Chalcogenide 기반 2성분계 후보군 탐색 및 선정 (5종 이상)기존 precursor의 공정상의 단점을 극복할 수 있는 modified precursor 개발Coupon wafer 내 5-point (top, center, bottom, l... | ||
| 기대효과 | ○ 초저전력 소자의 핵심 소재 및 이의 공정 기술을 통한 지능형반도체 기반 분야에 응용○ 태동기 분야에 대한 선도적인 연구를 통한 핵심 기술 선점 및 인력 양성○ 국내 반도체 산업의 다변화에 대한 새로운 돌파구 제공○ 관련한 분야의 대규모 신규 인력 채용 및 일자리를 창출 | ||
| 키워드 | 칼코게나이드,상전이,임계전압스위치,원자층증착법,저전력,전계트랜지스터,단차피복성,초고속 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 연 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 달리 분류되지 않는 반도체소자·회로 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국화학연구원 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 한국화학연구원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 106,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||