과제 상세정보
목록고성능 (Endurance 10^12, Retention 85℃/10^5초, 스위칭 시간 15ns 이내) 하프늄옥사이드 강유전체 트랜지스터 메모리 소자 기술개발 및 이론연구
작성자
관리자
조회수
68
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | 반도체 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 고성능 (Endurance 10^12, Retention 85℃/10^5초, 스위칭 시간 15ns 이내) 하프늄옥사이드 강유전체 트랜지스터 메모리 소자 기술개발 및 이론연구 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711133802 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2016-10-01 ~ 2021-09-30 | 당해연도 연구기간 | 2021-01-01 ~ 2021-09-30 |
요약 정보
| 연구목표 | ■ 개발 목표 수치: 스위칭 속도: 15ns, Endurance: 1×10^12, Retention: 85℃/10^5s, 메모리 윈도우:>1.2V 신규소재 IP 1■ ALD 및 다른 장비와 혼용하여 신물질 탐색■ 강유전체 게이트 적층소자에 대한 MFS와 MFIS, MFMIS, MFMCIS 소자 비교 연구■ 1T FeRAM의 Endurance 및 Retent... | ||
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| 연구내용 | ● ALD 방법을 통한 하프늄 옥사이드 공정개발- MFM 구조의 Capacitor 채택하여, 진성적인 특성 확인- 본 연구팀이 Doping 4 그룹의 원소를 도핑/고용하여 신규 조성의 하프늄 옥사이드 강유전체 발굴- 융합 열처리 및 초고압열처리를 통한 공정개발- 위 신물질로 이루어진 강유전체를 활용하여 고성능 고 신뢰성 1Tr FeRAM 구현- MFIS와 ... | ||
| 기대효과 | 기존 DRAM의 1T-1C (1 Transistor-1Capacitor) 구조에서 탈피하여, 1T 구조의 DRAM 셀을 개발할 필요가 있으며, 특히 비 휘발성특성을 갖는 메모리 층을 활용 시, Refresh 동작을 최소화하여 IoT (Internet of Things) 시대에 맞추어 고성능 초절전 DRAM 소자 구현이 가능함.-특히 강유전체 기반의 소자는 ... | ||
| 키워드 | 강유전체,하프늄 옥사이드,트랜지스터,메모리,내구성 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
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| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > Si 소자 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국과학기술원 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 한국과학기술원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 54,640,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||