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STT-MRAM에서 자성층 특성 예측 기술개발

작성자

관리자

조회수

43

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 반도체
과제 기본정보
과제명 STT-MRAM에서 자성층 특성 예측 기술개발
과제고유번호 1711133817
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2021 총연구기간 2017-07-01 ~ 2021-12-31 당해연도 연구기간 2021-01-01 ~ 2021-12-31
요약 정보
연구목표 ■ 자성특성 예측 기술 개발● FEM 기반 micromagentic 소자 시뮬레이션- Synthetic 구조 (50%) ● Poisson-NEGF 기반 스핀 수송 및 spin polarization 계산 기법 개발- strain 이 가해진 구조에서 Poisson-NEGF 기반 spin polarization 계산 100%● Self-consistent D...
연구내용 ■ 자성특성 예측 기술 개발● FEM 기반 micromagentic 소자 시뮬레이션- Synthetic 구조 (50%) ● Poisson-NEGF 기반 스핀 수송 및 spin polarization 계산 기법 개발- Poisson-NEGF 기반 spin polarization 계산 및 magnetoresistance 계산- 자화방향에 따른 spin tor...
기대효과 1. FEM 방식의 미소자기 시뮬레이터 개발을 통해 STT-MRAM을 구성하는 자성체의 자성특성의 정확한 예측2. 제1원리 기반 DFT 계산을 통한 자기적 parameter의 정확한 값 추출3. Poisson-NEGF 기반으로 한 스핀 수송의 양자역학적 계산으로 스핀 분극 전류값의 정확한 계산과 자기저항의 정확한 계산을 통한 자성층의 자화 거동의 예측4. ...
키워드 스핀 트랜스퍼 토크,제1원리,마그네틱 터널 접합,비평형 그린함수 방법,신세틱터널접합
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 기초연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) NT(나노기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 반도체 재료
주력산업분류 적용분야 기타 산업
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 한국과학기술원 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 한국과학기술원 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공
사업비
국비 42,800,000 지방비(현금+현물) 0
비고