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반데르발스 접근법을 이용한 초미세 MOSFETs용 초고유전체 및 반도체 계면제어 연구

작성자

관리자

조회수

55

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 기초연구실 돌파형
과제 기본정보
과제명 반데르발스 접근법을 이용한 초미세 MOSFETs용 초고유전체 및 반도체 계면제어 연구
과제고유번호 1711137196
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2021 총연구기간 2020-07-01 ~ 2023-02-28 당해연도 연구기간 2021-06-01 ~ 2022-02-28
요약 정보
연구목표 우리나라 주력산업인 반도체 MOSFET의 초미세化 한계를 극복할 수 있으며 외국 경쟁사와의 초격차를 유지해줄 수 있는 소재 및 공정 원천기술을 개발하고자 함. 이를 위해 (i) 기능성 반데르발스 (van der Waals: vdW) 소재의 반도체 계면에서의 직성장 공정 개발, (ii) 이를 이용한 게이트 유전체/반도체 계면특성 및 금속/반도체 접합특성 향상...
연구내용 원자층 두께의 vdW 소재를 게이트 유전체/반도체 및 금속/반도체 계면에 직성장을 통해 형성하는 계면 엔지니어링을 통해 계면결함 제어 및 MOSFET 특성의 획기적 향상을 꾀하고자 다음 4가지 주제에 대한 공동연구를 진행.vdW 소재 저온 직성장 공정기술개발 - 저온 열분해 전구체를 통한 원자 단층 vdW 소재의 결정성 제어 합성 및 기본물성 평가 - ...
기대효과 주력 반도체산업의 원천기술 확보 및 기술 초격차 유지의 기반 마련: 반도체 초미세화에 따라 큰 난점으로 부각되고 있는 게이트 유전체 및 반도체/금속 접합 문제점을 극복할 원천기술을 확보함에 따라 반도체 기술의 지속적 우위 확보 및 인공지능과 사물인터넷 4차 산업혁명의 핵심인 반도체 기술(고집적 저전력 고성능 소자)의 실용화에 큰 기여.첨단 소재와 주력 산업...
키워드 반도체,금속-절연막-반도체,반데르발스,게이트 유전체,직성장,표면처리,계면제어,MOSFET
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 기초연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) NT(나노기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 재료 > 열/표면처리 > 박막제조기술
주력산업분류 적용분야 제조업(비금속광물 및 금속제품)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 충남대학 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 충남대학 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 375,000,000 지방비(현금+현물) 0
비고