과제 상세정보
목록상온 all-electrical 2중 채널 그래핀 라쉬바-에델스타인 스핀 트랜지스터와 CMOS의 한계를 돌파하는 신개념 스핀 로직 회로의 개발
작성자
관리자
조회수
51
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | (유형1-2)중견연구 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 상온 all-electrical 2중 채널 그래핀 라쉬바-에델스타인 스핀 트랜지스터와 CMOS의 한계를 돌파하는 신개념 스핀 로직 회로의 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711142598 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2021 | 총연구기간 | 2020-09-01 ~ 2025-02-28 | 당해연도 연구기간 | 2021-09-01 ~ 2022-02-28 |
요약 정보
| 연구목표 | 상온에서 자기장이나 자성체 없이 전기적으로만 동작하는 2중 채널 그래핀 라쉬바-에델스타인 스핀 트랜지스터와 CMOS의 한계를 뛰어넘는 저전력, 고집적 신개념 스핀 로직 회로의 구현○ 1단계 (1-2차년도, 연구기간 1년 6개월) - 그래핀 라쉬바-에델스타인 스핀 트랜지스터로 상온 all-electrical 2중 채널 스핀 트랜지스터 구현- 소자의 stab... | ||
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| 연구내용 | 그래핀에 스핀-궤도 결합이 큰 전이금속 디칼코게나이드를 접합해주면 인접효과에 의해 그래핀의 스핀 궤도 결합 에너지가 100배 이상 증가하여, 라쉬바 스핀 편향 밴드가 생성되면서 스핀-운동량 사이에 상관관계, 즉 스핀-운동량 고정이 생긴다. 이 경우, direct 라쉬바-에델스타인 효과로 자성체 없이도 그래핀/전이금속 디칼코게나이드 접합에 전기장을 인가하면 ... | ||
| 기대효과 | 반도체 산업은 크게 정보 저장을 위한 메모리 반도체와 연산, 제어 기능을 하는 비메모리 반도체로 구분된다. 한국 반도체 업체들은 메모리 시장 점유율이 크지만, 비메모리 분야에서는 걸음마 단계이다. 세계 반도체 시장통계기구가 보고한 자료에서 보이듯이 전 세계적으로 비메모리 분야의 시장규모가 메모리 반도체보다 3배 가까이 크다 . 특히나, 최근에는 메모리 반도... | ||
| 키워드 | 라쉬바-에델스타인 효과,2중 채널 상온 스핀 트랜지스터,무어 법칙,저전력 트랜지스터,신개념 로직 게이트,그래 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
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| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 자연 > 물리학 > 응집물질물리 > 중시물리 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국과학기술원 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 한국과학기술원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 이학 |
사업비
| 국비 | 80,818,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||