| 연구목표 |
본 연구에서는 주름잡힌(corrugated) Si 기판위에 표면적이 넓고 밀도가 높은 여러 모양의 InN 나노선(nanowire, nanorod) 질화물 반도체 성장메커니즘을 이해하고 이를 바탕으로 플라즈마 처리법을 사용 InN/In2O3, In(Ga)N/InGaNO3 core-shell 이종접합 나노선을 제작 에너지 밴드구조 등 물성 제어를 통해 최적의 ... |
| 연구내용 |
○ 주름잡힌 Si 기판 위 넓은 표면적의 고밀도 InN, InGaN 나노선의 성장 메커니즘 이해 및 성장/물성 제어 연구○ In이 포함된 InN/In2O3, InGaN/InGaNO3 core-shell 이종접합 나노선 구조의 밴드벤딩(band bending)이해 및 성장/물성 제어 연구○ 환경가스 감지 성능을 획기적으로 향상시키기 위하여, 상기 연구에 의... |
| 기대효과 |
○ 표면기능화 기술개발에 따라 4차산업의 핵심인 ICT, IoT, 로봇, 드론, 바이오, 의료, 및 대기/수질 모니터링, 산업계측/안전 등에 적용되는 센서 전반 응용이 가능한 초소형, 초저소비 전력의 센서 구현을 위한 기반기술을 형성할 수 있다.○ 열악한 반도체관련 국내 센서 시장에 다양한 제조 기술과 시장성장에 파급효과가 클 것으로 기대 됨. |
| 키워드 |
InN 나노선,InN-In2O3 코어-쉘,g-C3N4 촉매제,유해 환경가스,주름잡힌 기판,선택도 |