| 연구목표 |
연구개발 목표: 질화갈륨 반도체를 사용한 위성통신용 X-band급 내방사선 송수신 MMIC 개발 및 국산화 기반 확보- X-band급 질화갈륨 기반 내방사선 고전자 이동도 트랜지스터 및 수동소자 공정기술 개발- X-band급 내방사선 송수신 MMIC 3종(전력증폭기, 저잡음증폭기, 단극-쌍투 스위치) 설계 및 최적화- X-band급 내방사선 송수신 MMIC... |
| 연구내용 |
1. X-band급 질화갈륨 기반 내방사선 고전자 이동도 트랜지스터 및 수동소자 공정기술 개발/고도화: - 기확보하고 있는 S-/C-band급 고출력-대면적 질화갈륨 기반 고전자 이동도 트랜지스터 제작기술의 고도화 및 공정기술의 안정화를 통한 X-band급 질화갈륨 기반 내방사선 고전자 이동도 트랜지스터 및 수동소자 제작기술 개발- 주파수 특성 향상을 위한... |
| 기대효과 |
1. 활용계획: - 위성통신용의 핵심부품인 X-band급 내방사선 송수신 모듈제작에 직접 활용함- 전투기용 AESA 레이더, THAAD, LAMD 등 다양한 국방용 감시정찰 체계에 사용되는 전력증폭기로 활용 가능함- 방사선 피폭환경에서 동작하는 재난구조 로봇, 무선이동통신 시스템 중계기, 그리고 자율주행차의 V2X 시스템에 적용할 수 있음2. 기대효과:- ... |
| 키워드 |
고전자 이동도,송수신,내방사선,집적회로,전력증폭기,저잡음 증폭기,단극-쌍투 스위치,질화붕소 |