| 연구목표 |
초고주파 시스템 수요 대응하여 전량 수입하는 InP 기반 초저잡 및 GaN 기반 고출력 RF 소자/MMIC 제작 기술과 InP/GaN 소자 집적화 수요에 대응하여 TIV 연결 기술로 InP/GaN 소자 3D 집적화 기술 개발- 10 ㎛ InP 기판 두께 Through-InP-Via (TIV) 기술 개발- 1 THz 이상 주파수 초고속/초저잡음 InP HEM... |
| 연구내용 |
① 10 um의 두께를 갖는 Through-InP-Via (TIV) 기술 개발.② 1 THz 이상의 주파수 특성을 갖는 초고속/초저잡음 InP HEMT 소자 개발.③ 500 GHz 이상의 주파수 특성을 갖는 SiC 기발 고출력/고효율 GaN HEMT 소자 개발.④ 3D TIV에 기반한 집적화된 InP/GaN 소자 구현. |
| 기대효과 |
- AESA 레이더, 대포병 레이더, 군용통신 및 해상기반 레이더- 유도탄 탐색기, 전자전용 재머/방호시스템 및 우주 첩보위성용(내방사선 성능 소요분야) 소자 - 연구개발 종료시점인 2021년 기준으로 소재부품 상용화에 따라 군수용 시장에서 360억 원대 경제적 효과 기대.- GaN 과 InP 전자 소자에 대한 핵심 원천기술 개발을 바탕으로 5G 통신 인프... |
| 키워드 |
인듐갈륨비소, 갈륨나이트라이드, 초고주파, 저잡음, 고출력, , , |