| 연구목표 |
○ 본 과제의 최종 목표는 4인치 이상 급 GaN-on-SiC 에피 소재의 국산화를 목표로 하며, S-, X-band 급 전력소자 에피 상용화 기술과 차세대의 K-band 이상 급 전력소자 에피 기술을 개발하여 해외 선진국으로부터의 기술의존을 탈피하여 독자적인 기술을 확보 |
| 연구내용 |
○ S-, X-band 급 전력소자 에피 소재를 국산화 하기 위하여 세계최고수준의 미국 Cree사 및 상용수준의 일본 NTT-AT사를 목표로 하여 GaN-on-SiC 에피 소재 성장기술을 개발한다. 이와 더불어 향후 5세대 이동통신 등 초고주파 분야에 적용될 수 있는 K-band 이상 급 전력소자 에피 소재를 개발하기 위하여 짧은 채널 효과를 완화할 수 ... |
| 기대효과 |
초고주파 전력소자용 GaN-on-SiC 에피 소재의 성장기술을 확보하고, 현재 수행 중인 SiC 기판, GaN RF chip 개발 국책사업과의 기술적 연계성 확보를 통하여 GaN-on-SiC RF 부품 상용화를 위한 국내 관련 산업의 밸류체인을 완성한다. 이를 통하여 차세대 통신 및 레이더 분야의 핵심부품인 GaN-on-SiC 에피 소재의 독자적 연구개발 ... |
| 키워드 |
에피탁시, 갈륨나이트라이드, 탄화규소 기판, 초고주파, 전력증폭기 |