| 연구목표 |
1. 다양한 위상물질 중 BixSb1-x와 같이 실온에서 양자 구속이 발생할 수 있고 절연 범위가 x=0% 에서 최소 35%까지 제어가 가능한 물질을 기반으로 위상절연박막 성장2. Facing Target Sputtering을 이용하여 facing target의 조성 제어를 통해 희토류의 doping level을 통한 자성절연박막의 자기이방성 제어- 희토류... |
| 연구내용 |
1. FTS를 이용한 BixSb1-x 위상절연박막 성장(1) 대량 생산에 용이한 실리콘 기판에서 BixSb1-x를 성장시키기 위한 FTS 조건 최적화- FTS는 일반 on-axis인 기존의 sputtering과 달리 off-axis 방식으로 박막 손상이 상대적으로 작다는 이점이 있어 PLD 또는 MBE로 성장시킨 박막의 품질에 상응하는 우수한 품질의 박막을... |
| 기대효과 |
1. 기대효과(1) 본 연구를 통해 과학기술적으로는 위상소재의 조성비에 따른 위상적 스핀 역학과 표면 상태 간의 관계를설명 가능할 것이라 기대되며 또한 자성 소재 기반의 차세대 에너지 하베스팅 기술 및 차세대 스핀 정보 소자 관련 원천 기술을 확보하여, 소재, 물리 분야 등 다양한 과학기술분야의 발전에 기여할 것으로 기대됨2. 활용방안(1) 본 연구 수행으... |
| 키워드 |
BiSb,SOT switching, 스핀 열전 소자, 위상 절연체 |