과제 상세정보
목록2kV급 수직형 GaN 전력소자용 에피 및 소자 핵심 원천 기술 개발
작성자
관리자
조회수
134
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | 화합물소재기반차세대전력반도체기술개발사업 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 2kV급 수직형 GaN 전력소자용 에피 및 소자 핵심 원천 기술 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1415181750 | ||||
| 부처명 | 산업통상자원부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2022 | 총연구기간 | 2022-04-01 ~ 2025-12-31 | 당해연도 연구기간 | 2022-04-01 ~ 2022-12-31 |
요약 정보
| 연구목표 | ㅇ 차세대 수직형 전력반도체 에피/소자 기술 개발 [1차년도 목표]ㅇ GaN 에피소재 특성평가 - 결정성 : XRD 반치폭(002)/(102) ≤ 150/150 arcsec - 결함밀도 : ≤ 100×106/cm2 ㅇGaN 전력소자 특성평가 - 이온주입 조사량 : Mg ≥ 5×1013/cm2 [2차년도 목표]ㅇ GaN 에피소재 특성평가 - 결정... | ||
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| 연구내용 | [1차년도 개발내용]ㅇ GaN 수직형 에피소재 설계 및 성장기술 개발 - 수직형 PiN diode 에피설계/시뮬레이션 및 성장기술 - 수직형 트랜지스터(CAVET) 에피설계/시뮬레이션 및 성장기술 - 에피소재 결함분석 및 특성평가 기술ㅇ GaN 수직형 전력반도체 소자설계 및 공정 핵심기술 개발 - 수직형 PiN diode 소자설계 및 공정기... | ||
| 기대효과 | [연구개발성과의 활용방안](1) 전력반도체용 수직형 GaN 에피소재 양산 o 고성능 전력반도체에 사용할 수 있는 수직형 GaN 에피소재의 원천기술을 확보함으로써 추후 GaN 에피 소재 양산 기술의 기틀을 마련함. o 고저항 GaN 단결정 기판의 사용시 RF GaN 소자에 활용이 가능하여, 수직형의 열특성 이 좋은 수직형 RF GaN 소자에 활용이 가능... | ||
| 키워드 | 질화갈륨,수직형 소자,전력반도체,에피성장,와이드밴드갭 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 응용연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | 기타 | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 연 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 화합물소자 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 교통/정보통신/기타기반시설 | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국전자통신연구원 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 한국전자통신연구원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 |
사업비
| 국비 | 800,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||