과제 상세정보
목록AlN기반 UVC LED Epi-wafer and HEMT Epi-wfer
작성자
관리자
조회수
193
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | (5월) 팁스(TIPS) 창업팀 지원계획 공고 |
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과제 기본정보
| 과제명 | AlN기반 UVC LED Epi-wafer and HEMT Epi-wfer | ||||
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| 과제고유번호 | 1425160447 | ||||
| 부처명 | 중소벤처기업부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2022 | 총연구기간 | 2020-06-01 ~ 2022-05-31 | 당해연도 연구기간 | 2022-01-01 ~ 2022-05-31 |
요약 정보
| 연구목표 | 본 창업팀에서는 경쟁사 대비 생산성 및 성장 특성이 우수한 고온용 MOCVD장비를 직접 설계하고 제작하는 기술을 보유하고 았어서 경쟁사 대비 아래와 같은 경쟁력을 갖을 수 있습니다.- 자체 설계/제작된 고온용 MOCVD장비 및 성장기술을 이용하여 AlN Template를 필요로하는 광소자 에피웨이퍼 및 전자소자에피 웨이퍼를 성장 할 수 있습니다.- AlN ... | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | 2차년도 개발 목표본 과제를 통하여 창업팀에서 만드는 UVC LED용 Epi-wafer는 아래와 같은 특징을 갖는 것으로서 UVC LED의 응용 분야 중 가장 많이 사용되어질 분야인 가전제품에 적용될 수 있는 UVC LED를 만들 수 있는 제품입니다. - 파장 : 275 +/- 5nm - 파장 반치폭 : 12nm - Thickness Uniformi... | ||
| 기대효과 | . 한국 최초의 4인치 AlN /Sapphire 템플릿 시제품 출시 및 샘플 판매. 한국 최초의 4인치 AlN/4H-SiC 템플릿 시제품 출시 . 4인치 UVC LED 에피웨이퍼의 상용화를 앞당기는 계기를 마련. [4인치 AlGaN/GaN/AlN/4H-SiC] 구조의 RF HEMT에피웨이퍼를 한국 최초로 개발. 4인치 RF HEMT에피웨이퍼의 국산화를 위한... | ||
| 키워드 | 알루미늄나이트라이드,심자외선 엘이디,고속전자소자,고온 유기금속증착,박막성장 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 화합물소자 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 엘앤디전자 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 엘앤디전자 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 104,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||