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25G InAlGaAs o-band DFB 레이저 칩 기술개발

작성자

관리자

조회수

192

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 2020년도 테크브릿지활용 상용화 기술개발사업 제1차 시행계획 수정공고
과제 기본정보
과제명 25G InAlGaAs o-band DFB 레이저 칩 기술개발
과제고유번호 1425161166
부처명 중소벤처기업부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2022 총연구기간 2020-08-01 ~ 2022-07-31 당해연도 연구기간 2022-01-01 ~ 2022-07-31
요약 정보
연구목표 25Gbps 광소자칩 DFB 칩 상용 시제품 개발 (큐에스아이 자체 팹공정) - 변조 속도: 25Gbps @ o-band 대역, 50 oC. - 신호 소광비 : > 5 dB - 광출력 세기 : > 3 dBm - 동작온도 범위 : IT @ TOSA - 측모드 억압비 : > 45 dB - 광출력 세기 : > 0 dBm ...
연구내용 공정 재현 및 파일롯 생산 검증 (자체 내재화 기술기반) - InAlGaAs 에피 공정 재현 - InAlGaAs Fabrication 공정 - 일괄 공정 테스트 DFB 칩 및 TOSA 모듈 제작 및 평가 (자체 내재화 기술기반) - DFB 칩 및 TOSA 모듈 양산성 평가 - 양산 수준의 Design Verification Te...
기대효과 o 5G 모바일 및 FTTH-5G 용 고부가 25G 광부품으로서 차세대 유.무선 통합 액세스망의 핵심 부품일뿐만 아니라, 100G/400G급 데이터 센터 등 다양한 시스템 및 망 구조에 공통적으로 요구하는 핵심 기술로 활용 가능하여, 국내 광 부품/장비 산업생태계에서 핵심 부품으로서의 역할을 할 것으로 기대함o 고품질 멀티미디어 서비스의 증가 등으로 확산되...
키워드 레이저 다이오드,25기가,인듐갈륨알루미늄아세나이드,양자우물 ,결정성장
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 개발연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) IT(정보기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 광응용기기 > 광소자
주력산업분류 적용분야 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 (주)큐에스아이 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 (주)큐에스아이 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 이학
사업비
국비 193,920,000 지방비(현금+현물) 0
비고