| 연구목표 |
·결함밀도 5x108cm-3 이하를 갖는 고퓸위 GaN 에피 성장기술 개발 ·반응도 200mA/W 이상의 고감도 APD 센서 기술 개발 ·단광자검출효율 (DE) > 5% 이상 APD 센서 개발·액티브 칭 및 리셋회로 개발·APD 가 적용된 형광측정용 자외선 센서모듈 제작·성능시험 절차 및 방법 확립 및 시험평가 |
| 연구내용 |
- 연구내용 요약결함밀도 최소화를 통한 360nm 형광신호 검출용 광센서 에피 및 칩 구조 최적화- 누설전류 최소화 및 고전압 구동 APD 소자 설계 및 제작- 형광측정용 자외선 센서 모듈 제작 - 성능시험 절차, 방법 확립 및 시험평가연구목표요약·결함밀도 5x108cm-3 이하를 갖는 고퓸위 GaN 에피 성장기술 개발 ·반응도 200mA/W 이상의 고감도... |
| 기대효과 |
- 고감도 APD 센서 공정 및 센서 개발 (반응도 200mA/W 이상) 기술확보가 가능하다.- 단광자검출효율 (DE) >5% 이상의 APD 소자 개발이 가능하다.- 형광신호 측정용 자외선 센서모듈 개발이 가능하며, 성능시험 절차, 방법 확립 및 시험평가 기술확보가 가능하다. |
| 키워드 |
자외선,와이드밴드갭,아발란체 포토다이오드,갈륨 나이트라이드,양자효율 |