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III-N반도체 소자용 고품위 4“ AlGaN on AlN Template 개발

작성자

관리자

조회수

62

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 2022년도 산연 Collabo R&D사업(사업화R&D) 시행계획 공고
과제 기본정보
과제명 III-N반도체 소자용 고품위 4“ AlGaN on AlN Template 개발
과제고유번호 1425167186
부처명 중소벤처기업부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2022 총연구기간 2022-06-01 ~ 2024-05-31 당해연도 연구기간 2022-06-01 ~ 2023-05-31
요약 정보
연구목표 Crack-free 4inch AlN on Sapphire Template 개발 4inch AlN 특성평가 공정 flow chart 도출 1단계 시제품 고객사 인증 Wet etching 표면처리를 통한 결함밀도 분석 방법 개발 - 다양한 chemical etchant를 이용한 표면 에칭 : KOH, NaOH, NH4OP, H3PO4 등 - 표면...
연구내용 4인치 AlN 개발을 위한 공정 실험 - 2인치 AlN 박막 성장시 얻게된 공정 조건 확장성 검토 * TMAl Source와 NH3 Gas의 Ratio 최적화 * Carrier Gas를 포함한 Total Gas Flow rate 최적화 * 결정성 향상을 위한 박막 성장 온도 최적화 * 초기 ...
기대효과 고품위 2인치 및 4인치 AlGaN/AlN Template 개발 목적은 AlN 반도체의 물성을 활용하여 템플릿(Template)의 형태로 개발하면, 그 템플릿 위에 다양한 여러 가지 구조의 반도체 에피택셜층을 성장하여, 여러 가지 응용처의 반도체 소자를 제작 할 수 있다는 점이다. 그리고 기판사이즈가 2인치 에서 4인치로 커짐...
키워드 알루미늄갈륨나이트라이드,고온 금속유기증착장비,템플레이트,화합물,고품질 4인치
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 개발연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) IT(정보기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 화합물소자
주력산업분류 적용분야 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 엘앤디전자 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 엘앤디전자 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 97,500,000 지방비(현금+현물) 0
비고