| 연구목표 |
o 최종 개발 기술:차세대 디스플레이 마이크로 LED용 화합물반도체 원자층증착(ALD)장치 개발 o 최종 정량적 목표 사파이어 상 InGaN/GaN 마이크로 LED 제조를 위한 원자층 증착장치 개발 기판면적: > 4인치 성장온도: 500도 이하 양자우물 결정성 확보 (GaN (002) 300 arcsec) PL 파장 균일성 : min/max +-1% 이내... |
| 연구내용 |
- 플라즈마 기반 ALD를 위한 반응기 설계 : III-V족 원자의 이동을 극대화하면서, Damage를 최소화하기 위해, 고에너지의 균일하면서도 플라즈마 밀도가 높은 플라즈마 발생원이 적용된 ALD설비를 설계 및 제작하고자 함.· 플라즈마를 이용하는 경우, 라디칼의 확산 범위를 고려하여, 기판에 충분하면서도 균일한 라디칼 반응기가 전달될 수 있도록 ALD... |
| 기대효과 |
- 기술적 측면 · 섭씨 500도 이하의 온도에서 마이크로 LED용 InGaN 기반 화합물반도체 구조 및 소자 제작을 가능케할 수 있는 설비 및 제조 원천기술 확보· 차세대 디스플레이, 바이러스 살균 등에 사용되는 화합물반도체의 저가격, 고생산성 확보를 가능케 할 것으로 기대. · III-V족 화합물반도체소자 제작을 위하여 새로운 개념의 원자층증착법을 제안... |
| 키워드 |
엘이디,반도체,디스플레이,원자증착 |