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차세대 디스플레이용 화합물반도체 원자층증착장치 개발

작성자

관리자

조회수

60

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 수요기반 기술이전
과제 기본정보
과제명 차세대 디스플레이용 화합물반도체 원자층증착장치 개발
과제고유번호 1425167916
부처명 중소벤처기업부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2022 총연구기간 2022-04-01 ~ 2024-03-31 당해연도 연구기간 2022-04-01 ~ 2022-12-31
요약 정보
연구목표 o 최종 개발 기술:차세대 디스플레이 마이크로 LED용 화합물반도체 원자층증착(ALD)장치 개발 o 최종 정량적 목표 사파이어 상 InGaN/GaN 마이크로 LED 제조를 위한 원자층 증착장치 개발 기판면적: > 4인치 성장온도: 500도 이하 양자우물 결정성 확보 (GaN (002) 300 arcsec) PL 파장 균일성 : min/max +-1% 이내...
연구내용 - 플라즈마 기반 ALD를 위한 반응기 설계 : III-V족 원자의 이동을 극대화하면서, Damage를 최소화하기 위해, 고에너지의 균일하면서도 플라즈마 밀도가 높은 플라즈마 발생원이 적용된 ALD설비를 설계 및 제작하고자 함.· 플라즈마를 이용하는 경우, 라디칼의 확산 범위를 고려하여, 기판에 충분하면서도 균일한 라디칼 반응기가 전달될 수 있도록 ALD...
기대효과 - 기술적 측면 · 섭씨 500도 이하의 온도에서 마이크로 LED용 InGaN 기반 화합물반도체 구조 및 소자 제작을 가능케할 수 있는 설비 및 제조 원천기술 확보· 차세대 디스플레이, 바이러스 살균 등에 사용되는 화합물반도체의 저가격, 고생산성 확보를 가능케 할 것으로 기대. · III-V족 화합물반도체소자 제작을 위하여 새로운 개념의 원자층증착법을 제안...
키워드 엘이디,반도체,디스플레이,원자증착
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 개발연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) 기타 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 화합물소자
주력산업분류 적용분야 제조업(화학물질 및 화학제품)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 (주)아이작리서치 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 (주)아이작리서치 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 287,250,000 지방비(현금+현물) 0
비고